[实用新型]焊盘结构及倒装LED芯片

权利要求书

1.一种焊盘结构，所述焊盘结构位于倒装LED芯片上，所述倒装LED芯片包括由上而下的衬底、外延层、电流扩展层、连通电极、绝缘反射层和焊盘结构，其特征在于，包括：

所述焊盘结构形成于所述绝缘反射层上，并且通过所述绝缘反射层上的开孔与所述连通电极电连接；

所述焊盘结构包括依次设置的第一接触层、阻隔层和共金层；

其中，所述阻隔层为镀层，厚度为0.5-5μm。

2.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述阻隔层为镍镀层、CrNi合金镀层或TiW合金镀层中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述阻隔层的粗糙度为10-30nm。

4.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一接触层为钛层。

5.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述共金层为金层、锡层或金锡合金层中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述共金层的厚度为0.1-2μm。

7.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述焊盘结构还包括：

电镀辅助层，位于所述第一接触层和所述阻隔层之间。

8.根据权利要求7所述的焊盘结构，其特征在于，所述电镀辅助层为铝层。

9.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，所述外延层包括依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述外延层中设置有至少一个暴露所述第一半导体层的凹槽；

电流扩展层，设置于所述第二半导体层上，所述电流扩展层中设置有暴露所述凹槽的电流扩展层开孔；

第一连通电极和第二连通电极，所述第一连通电极位于所述凹槽内的第一半导体层上，所述第二连通电极位于所述电流扩展层上；

绝缘反射层，设置于所述电流扩展层上，具有暴露所述第一连通电极的第一绝缘反射层开孔和暴露所述第二连通电极的第二绝缘反射层开孔；

第一焊盘和第二焊盘，设置于所述绝缘反射层上，所述第一焊盘通过第一绝缘反射层开孔与所述第一连通电极设置电连接，所述第二焊盘通过第二绝缘反射层开孔与所述第二连通电极设置电连接；

其中，所述第一焊盘和所述第二焊盘均包括依次设置的第一接触层、阻隔层和共金层；

所述阻隔层为镀层，厚度为0.5-5μm。

10.根据权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述阻隔层为镍镀层、CrNi合金镀层或TiW合金镀层中的任意一种。

11.根据权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述阻隔层的粗糙度为10-30nm。

12.根据权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一接触层为钛层。

13.根据权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述共金层为金层、锡层或金锡合金层中的至少一种。

14.根据权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述共金层的厚度为0.1-2μm。

15.根据权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括：

电镀辅助层，位于所述第一接触层和所述阻隔层之间。

16.根据权利要求15所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电镀辅助层为铝层。

17.根据权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一连通电极和所述第二连通电极均包括依次设置的第二接触层和电连接层。