[实用新型]焊盘结构及倒装LED芯片

权利要求书

1.一种焊盘结构，所述焊盘结构位于倒装LED芯片上，所述倒装LED芯片包括由上而下的衬底、外延层、电流扩展层、连通电极、绝缘反射层和焊盘结构，其特征在于，包括：

所述焊盘结构设置于所述绝缘反射层上，并且通过所述绝缘反射层上的开孔与所述连通电极电连接；

所述焊盘结构包括依次设置的第一接触层、阻隔层和共金层；

其中，所述共金层为锡银合金层，所述共金层的厚度为0.1-1μm。

2.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述锡银合金中银的含量为3％-5％。

3.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述第一接触层包括钛层及钛层之上的铝层。

4.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述阻隔层为镍层。

5.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述阻隔层的厚度为0.1-5μm。

6.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，所述外延层包括依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述外延层中设置有至少一个暴露所述第一半导体层的凹槽；

电流扩展层，设置于所述第二半导体层上，所述电流扩展层中设置有暴露所述凹槽的电流扩展层开孔；

第一连通电极和第二连通电极，所述第一连通电极位于所述凹槽内的第一半导体层上，所述第二连通电极位于所述电流扩展层上；

绝缘反射层，设置于所述电流扩展层上，具有暴露所述第一连通电极的第一绝缘反射层开孔和暴露所述第二连通电极的第二绝缘反射层开孔；

第一焊盘和第二焊盘，设置于所述绝缘反射层上，所述第一焊盘通过第一绝缘反射层开孔与所述第一连通电极设置电连接，所述第二焊盘通过第二绝缘反射层开孔与所述第二连通电极设置电连接；

其中，所述第一焊盘和所述第二焊盘均包括依次设置的第一接触层、阻隔层和共金层；

所述共金层为锡银合金层，所述共金层的厚度为0.1-1μm。

7.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述锡银合金中银的含量为3％-5％。

8.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一接触层包括钛层及钛层之上的铝层。

9.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述阻隔层为镍层。

10.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述阻隔层的厚度为0.1-5μm。

11.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一连通电极和所述第二连通电极均包括依次设置的第二接触层和电连接层。

12.根据权利要求11所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第二接触层为铬层。

13.根据权利要求11所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电连接层为由至少两种金属交替分布设置的周期性多层金属膜，所述周期数为2-10。

14.根据权利要求13所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述多层金属膜由铝膜和镍膜交替分布设置。

15.根据权利要求13所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述多层金属膜由铝膜、镍膜、金膜、镍膜交替分布设置。

16.根据权利要求14或15所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述铝膜和镍膜的厚度比为3:1～10:1。

17.根据权利要求15所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金膜和镍膜的厚度比为3：1～15:1。

18.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，在所述绝缘反射层和所述第一焊盘、第二焊盘之间还可设置至少一层金属层和至少一层绝缘层，其中，所述金属层和所述绝缘层交替分布。