[实用新型]一种超高导热型陶瓷基板

说明书

本实用新型公开了一种超高导热型陶瓷基板，包括陶瓷层，所述陶瓷层的一面气相沉积有金属层，所述金属层上远离陶瓷层的一面气相沉积有第一铜层，所述第一铜层上远离金属层的一面电镀有加厚铜层，所述加厚铜层上远离第一铜层的一端为抗氧化层；所述陶瓷层上连接金属层的一端为金属氧化物层。提升基板机械强度、导热性、载流能力及层间附着能力。

技术领域

本实用新型涉及印制电路板技术领域，尤其是涉及一种超高导热型陶瓷基板。

背景技术

随着微电子集成技术的高速发展，印制电路板领域对基板的要求越来越高；其中，陶瓷基板在机械应力方面逐步替代了金属基板或塑料基板。陶瓷基板的热膨胀系数与硅的更接近，安装在陶瓷基板上的硅芯片受到的机械应力很低，有效提高了基板工作质量及使用寿命。

然而现有的陶瓷基板中，基于陶瓷层的设置，陶瓷层的导热性不够良好，金属层加工至陶瓷层表面时金属受到的附着力较小。

实用新型内容

为克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种超高导热型陶瓷基板，解决陶瓷层导热性不够良好、金属层附着力较小的问题。

本实用新型为解决其技术问题采用的技术方案是：

一种超高导热型陶瓷基板，包括陶瓷层，所述陶瓷层的一面气相沉积有金属层，所述金属层上远离陶瓷层的一面气相沉积有第一铜层，所述第一铜层上远离金属层的一面电镀有加厚铜层，所述加厚铜层上远离第一铜层的一端为抗氧化层；所述陶瓷层上连接金属层的一端为金属氧化物层。

优选地，所述陶瓷层上连接金属层的一端设置有若干个孔，金属层部分穿设在孔中，孔的深度为陶瓷层厚度的0.3～0.6倍。

优选地，所述金属层为多种金属混合层。

优选地，所述第一铜层的厚度为20～200nm。

优选地，所述第一铜层及加厚铜层的总厚度为35～200um。

优选地，所述抗氧化层的厚度为5～100nm。

优选地，所述金属层的厚度为20nm～200um。

优选地，所述陶瓷层的厚度为0.2～2mm。

本实用新型采用的一种超高导热型陶瓷基板，具有以下有益效果：

1.陶瓷层的一面气相沉积有金属层，提升基板机械强度；

2.远离陶瓷层的一面气相沉积有第一铜层，保证铜层与陶瓷层间附着牢固，第一铜层较好附着至陶瓷层，则铜层能够加工出大功率厚度；

3.设置加厚铜层，保证基板电路载流功率；

4.设置抗氧化层，有效保证铜层的抗氧化性能，提升铜层电路工作质量、延长基板使用寿命；

5.陶瓷层设置金属氧化物层，金属层向陶瓷层有一个良好的导热性，保证基板有良好的热散性、提升基板工作质量及其使用寿命，同时提升金属层附着于陶瓷层的强度。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和实例对本实用新型作进一步说明。

如图1所示，本实用新型的一种超高导热型陶瓷基板，包括陶瓷层1，所述陶瓷层1的一面气相沉积有金属层2，所述金属层2上远离陶瓷层1的一面气相沉积有第一铜层31，所述第一铜层31上远离金属层2的一面电镀有加厚铜层32，所述加厚铜层32上远离第一铜层31的一端为抗氧化层32a；所述陶瓷层1上连接金属层2的一端为金属氧化物层11。