[实用新型]一种量子点贝塔伏特电池

权利要求书

1.一种量子点贝塔伏特电池，其特征在于，其包括置于底部电极(5)和顶部电极(1)之间的半导体纳米管阵列薄膜(4)，所述半导体纳米管的管内壁上涂有量子点层(7)，所述量子点层(7)上又涂有固态同位素辐射源层(3)，或者所述量子点层(7)所围成的管状空间填充有气态或液态同位素辐射源。

2.根据权利要求1所述的量子点贝塔伏特电池，其特征在于，所述固态同位素辐射源层(3)充满所述量子点层(7)所围成的管状空间。

3.根据权利要求1所述的量子点贝塔伏特电池，其特征在于，所述半导体纳米管阵列薄膜(4)是由多个相互平行的纳米管并排排列而成。

4.根据权利要求1所述的量子点贝塔伏特电池，其特征在于，所述量子点层(7)和所述同位素辐射源层(3)为连续层或离散层或二者的组合。

5.根据权利要求1所述的量子点贝塔伏特电池，其特征在于，所述半导体纳米管阵列薄膜(4)为选自二氧化钛、氧化锌、二氧化锆、氧化镉、五氧化二铌、氧化铈、三氧化二镓、二氧化锡、三氧化钨、碳化硅、氮化镓、铟镓氮、磷化镓、氮化铟、氮化铝、磷化铝、砷化铝等、二硫化钼、硫化镉、硫化锌、硫化镁、硒化锌、硒化镁或金刚石的禁带宽度大于2.3eV的晶态宽禁带半导体材料薄膜。

6.根据权利要求1所述的量子点贝塔伏特电池，其特征在于，所述半导体纳米管的管直径为10nm～1000nm，管长为200nm～100μm。

7.根据权利要求1所述的量子点贝塔伏特电池，其特征在于，所述量子点层(7)为由半径不大于激子波尔半径的半导体材料纳米晶粒所组成的层。