[实用新型]一种多晶硅电池片的低压扩散设备有效
| 申请号: | 201721848397.5 | 申请日: | 2017-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN207637830U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
| 发明(设计)人: | 邱小永;赵庆国;李小飞;孙林飞;陆波;周海权 | 申请(专利权)人: | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/22 |
| 代理公司: | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 裴金华 |
| 地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 透气外壳 立式炉 排气管 炉体 多晶硅电池片 扩散设备 抽气机 混合箱 间隔层 石英舟 炉腔 太阳能光伏电池 本实用新型 废气收集箱 空气排放管 中轴线位置 扩散 加热炉壁 炉腔内壁 进气管 选择阀 圆筒形 穿孔 硅片 顶面 搁架 铰接 炉盖 排气 穿过 制造 | ||
本实用新型涉及太阳能光伏电池制造领域,具体涉及一种多晶硅电池片的低压扩散设备,包括:炉体、石英舟、扩散气混合箱、抽气机、选择阀、空气排放管和废气收集箱;所述炉体包括,圆筒形的立式炉身、所述立式炉身顶部铰接的炉盖以及所述立式炉身中轴线位置处的排气管,所述立式炉身包括,内部的炉腔和外侧的加热炉壁;所述石英舟设置在所述炉腔内,包括,透气外壳和硅片搁架,所述透气外壳上下顶面处设置有排气穿孔,所述排气管穿过所述透气外壳的中心,所述透气外壳与所述炉腔内壁设置有间隔层,所述间隔层与所述扩散气混合箱通过进气管相连;所述排气管与设置在所述炉体底部的抽气机相连。
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏电池制造领域,具体涉及一种多晶硅电池片的低压扩散设备。
背景技术
在各种太阳能电池中,硅太阳能电池因其可靠性高、寿命长、能承受各种环境变化等优点成为太阳能电池的主要品种。太阳电池产业化所面临的主要问题之一是如何在保证电池高转换效率前提下提高产能。扩散制作P-N结是晶体硅太阳电池的核心,也是电池质量好坏的关键之一。对于扩散工序,最大的问题是如何提高扩散的均匀性。扩散的均匀性直接体现在硅片扩散后PN结结深的差异性上,均匀性好则结深的差异性小,反之亦然。而不同的结深对应的烧结温度也是不一样的。换个角度来说,同样的烧结条件对于扩散均匀性好的电池片,其欧姆接触就会好,短路电流、填充因子等电性能参数也会比较稳定。这样,电池片的转换效率也就更稳定。并且,电池片与电池片之间的电性能参数一致性好,也有利于组件的稳定性和防衰减性,从而提高了太阳电池的使用寿命。因此,如何来提高扩散的均匀性就显得非常有必要。
实用新型内容
本实用新型的目的,是为了解决背景技术中的问题,提供一种多晶硅电池片的低压扩散设备。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种多晶硅电池片的低压扩散设备,包括:炉体、石英舟、扩散气混合箱、抽气机、选择阀、空气排放管和废气收集箱;所述炉体包括,圆筒形的立式炉身、所述立式炉身顶部铰接的炉盖以及所述立式炉身中轴线位置处的排气管,所述立式炉身包括,内部的炉腔和外侧的加热炉壁;所述石英舟设置在所述炉腔内,包括,透气外壳和硅片搁架,所述透气外壳上下顶面处设置有排气穿孔,所述排气管穿过所述透气外壳的中心,所述透气外壳与所述炉腔内壁设置有间隔层,所述间隔层与所述扩散气混合箱通过进气管相连;所述排气管与设置在所述炉体底部的抽气机相连,所述抽气机与所述选择阀相连,所述空气排放管和废气收集箱并联在所述选择阀的后端。
作为优选,所述硅片搁架上设置有搁槽,所述搁槽的宽度为0.3-0.6mm,所述搁槽的间距为1.5-2.38mm。
由于采用低压环境使得分子自由程增长,增强了穿透力,从而提升了掺杂均匀性。并且由于提高了均匀性,消减了传统扩散的光环效应,使分子的穿透能力变强,故石英舟槽间距设计可由目前标准的4.76mm调整为1.5-2.38mm,使得在扩散炉炉腔大小不变的前提下产能得以大幅度提升。
作为优选,所述透气外壳侧壁上设置有透气孔。
作为优选,所述排气管朝向所述硅片搁架侧设置有排气孔。
作为优选,所述硅片搁架分成四组,以所述排气管轴线为轴线四等分圆周均布。
作为优选,所述加热炉壁内设置有电加热丝。
作为优选,所述炉盖底部设置有密封盖,所述密封盖在所述炉盖处于闭合状态时与所述透气外壳顶部相密封。
作为优选,所述透气孔为横向条形孔,其宽度为1-2mm,其间隔为0.5-0.6mm。
综上所述,本实用新型的有益效果:
① 本实用新型所述的一种多晶硅电池片的低压扩散设备,通过抽真空的方式,降低了扩散设备内部的压力,从而减少了湍流产生,提高气氛均匀性,从而提高了扩散的均匀性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





