[实用新型]一种电动车防盗器电门锁启动电路有效
申请号: | 201721831750.9 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN207853748U | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 毕宏涛;马春艳 | 申请(专利权)人: | 安徽天瑞电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M1/36 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 张永生 |
地址: | 241100 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电门锁 软启动保护电路 检测电路 启动电路 锁头驱动 软启动 电动车防盗器 控制驱动电路 本实用新型 输入端 电路 电路输出端 软启动电路 输出端连接 安全运行 充电电压 电路过热 反馈信号 控制信号 连接控制 启动瞬间 驱动电路 使用寿命 阻性电路 输出端 容性 充电 起火 输出 检测 保证 | ||
本实用新型公开了一种电动车防盗器电门锁启动电路,包括控制驱动电路、锁头驱动电路,MCU输出电门锁控制信号至锁头驱动电路,所述锁头驱动电路输出端连接控制驱动电路的输入端,所述的控制驱动电路输出端连接电门锁;该系统还包括软启动保护电路、软启动检测电路,MCU发出PWM信号至软启动保护电路,所述的软启动保护电路的输出端与电门锁连接;所述的软启动检测电路用于检测软启动电路是否有效并反馈信号至MCU的输入端。本实用新型的优点在于:通过软启动保护电路以及软启动检测电路,对电门锁中的容性、阻性电路提前充电,防止出现电门锁在启动瞬间由于充电电压、电流过大出现电路过热起火,保证了电门锁的启动电路安全运行,提高了电门锁的使用寿命。
技术领域
本发明涉及电动车防盗器领域,特别涉及一种电动车防盗器电门锁启动保护电路。
背景技术
如图1所示,为现有技术电门锁启动电路原理图,通过Acc out锁头信号输出端给三极管Q2b极一个高电平,使Q2导通;再通过控制驱动电路中R7和 R8分压使Vgs产生约为1/4Vcc的压差,Vgs最大不大于25V;再通过C8电容充放电,控制Vgs上升沿,实现P-MOS导通;Vgs上升沿时间越长,P-MOS导通的时间越长,通过延长P-MOS的导通时间来实现对导通内阻的控制,从而实现对 P-MOS管的导通电流的控制。
控制电路中C8电容的充放电会增加Vgs的结电容,导致Vgs上升沿时间过长,将导通速度降低,导通内阻会增大,存在p-MOS管的结温Tj瞬间上升,无法短时间散发从而造成P-MOS内部芯片击穿。P-MOS管G、S短路。由于采用上述控制电路,电门锁开启的瞬间对电门锁电路容性、感性负载充电,P-MOS峰值电流在VCC=48V时,IDMAX约大于80A,TD持续时间约20US,电路存在起火的隐患。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种电动车防盗器电门锁启动电路,该电路以软启动的方式,减少由于启动瞬间造成的起火隐患。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种电动车防盗器电门锁启动电路,包括控制驱动电路、锁头驱动电路,MCU输出电门锁控制信号至锁头驱动电路,所述锁头驱动电路输出端连接控制驱动电路的输入端,所述的控制驱动电路输出端连接电门锁;该系统还包括软启动保护电路、软启动检测电路,MCU发出PWM信号至软启动保护电路,软启动保护电路的输出端与电门锁连接;软启动检测电路用于检测软启动是否有效并反馈信号至MCU的输入端。
所述的软启动保护电路包括电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、三极管Q3、三极管Q4,MCU输出端经R11连接三极管Q4的基极,三极管Q4 的集电极经电阻R10连接三极管Q3的基极,Q3的集电极与电门锁电路连接,三极管的基极、发射机分别经过电阻R12、R13与电源VCC连接。
所述的软启动检测电路包括电阻R2、R3、R5以及电容C7,电门锁电路经电阻R3、R2后与MCU输入端连接,在电阻R2、R3之间分别通过电阻R5、电容C7接地。
所述的控制驱动电路包括电阻R7、R8、P-MOS管M1,锁头驱动电路的输出端经电阻R7后连接在P-MOS管M1的栅极,P-MOS管M1的漏极与电门锁连接,P-MOS管M1的源极与VCC连接,P-MOS管M1的栅极经电阻R8与 VCC连接。
所述的驱动电路包括三极管Q2、电阻R9,MCU锁头控制信号输出端与三极管Q2的基极连接,三极管Q2的集电极与控制驱动电路的输入端连接,三极管Q2的发射极接地。
上述电动车防盗器电门锁启动电路的启动方法,MCU先发送PWM信号至软启动保护电路,控制三极管Q3导通,然后给电门锁中容性、感性负载充电;然后软启动检测电路来检测软启动是否有效,当检测到软启动有效则MCU停止输出PWM信号,由MCU输出电门锁控制信号至驱动电路,控制三极管Q2导通,再通过控制驱动电路中R7和R8分压栅极产生压差,P-MOS实现大电流的导通控制,实现P-MOS导通,进而通过漏极驱动电门锁启动。
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