[实用新型]超结场效应管

说明书

本实用新型实施例提供了一种超结场效应管。超结场效应管包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，第一端与栅极源极层连接。P型补偿半导体层嵌入在第二端与漏极层的连接处，用于在超结场效应管处于反向恢复的过程中时，P型补偿半导体层与PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持PN结型半导体层中的载流子平衡。故避免发生电压波形震荡，并增强了电路的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体分立器件技术领域，具体而言，涉及一种超结场效应管。

背景技术

超结场效应管由于具备的超深PN结，可有效提高外延浓度从而降低自身的导通电阻，目前，其在市面上的应用有逐步替代传统的平面场效应管的趋势。

但是，也由于超结场效应管所具备超深PN结结构，使得超深PN结的结面面积很大。当超结场效应管内部的寄生二极管处于反向恢复的过程中时，超深PN结的结面面积过大会导致在回复过程中N结在短时间内被抽流过多的空穴，根据电中性原则,N结的电子数量与空穴数量会骤然消失，进而导致反向恢复时产生的末端电流会突然下跌，使得超结场效应管所在器件的电压波形震荡，甚至损坏器件及影响整个电路的稳定性。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种超结场效应管，其能够有效的改善上述缺陷。

本实用新型的实施例通过以下方式实现：

第一方面，本实用新型的实施例提供了一种超结场效应管，包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。所述PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端与所述栅极源极层连接。所述P型补偿半导体层嵌入在所述第二端与所述漏极层的连接处，用于在所述超结场效应管处于反向恢复的过程中时，所述P型补偿半导体层与所述PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使所述PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持所述PN结型半导体层中的载流子平衡。

结合上述第一方面提供的技术方案，在一些可能的实现方式中，所述P 型补偿半导体层嵌入在所述第二端的中心处，所述P型补偿半导体层和所述第二端均与所述漏极层连接。

结合上述第一方面提供的技术方案，在一些可能的实现方式中，所述 PN结型半导体层包括：第一P型半导体层、第二P型半导体层和N型半导体层。所述N型半导体层具有相对设置的第三端和第四端，所述第三端位于所述第一端上，所述第四端位于所述第二端上，所述P型补偿半导体层嵌入在所述第四端的中心处以设置在所述N型半导体层内，所述N型半导体层的轴线的方向为所述第三端指向所述第四端的方向。所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层均沿所述轴线对称设置于所述N型半导体层的周面。

结合上述第一方面提供的技术方案，在一些可能的实现方式中，所述N 型半导体层为由第一N型半导体材料制成。

结合上述第一方面提供的技术方案，在一些可能的实现方式中，所述漏极层包括：衬底层和漏极电极层。所述衬底层具有相对设置的第五端和第六端，所述第五端分别与所述第二端和所述P型补偿半导体层连接，所述第六端与所述漏极电极层连接。

结合上述第一方面提供的技术方案，在一些可能的实现方式中，所述栅极源极层包括：源极层、介质层和栅极层，所述源极层与所述第一端连接并套设所述介质层，所述介质层与所述第一端连接并套设所述栅极层，所述栅极层与所述第一端连接。

结合上述第一方面提供的技术方案，在一些可能的实现方式中，所述源极层包括：源极电极层、第一源极有源层和第二源极有源层。所述源极电极层套设所述介质层并与所述第一端上的所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层均连接。所述第一源极有源层嵌入所述第一P型半导体层并与所述源极电极层、所述介质层和所述栅极层均连接。所述第二源极有源层嵌入所述第二P型半导体层并与所述源极电极层、所述介质层和所述栅极层均连接。