[实用新型]一种片上低温度系数可修调频率RC振荡器

权利要求书

1.一种片上低温度系数可修调频率RC振荡器，其特征在于，包括分压基准网络、比较器、交叉环振和RC充放电网络；其中分压基准网络的输出端连接比较器的反相输入端，比较器的输出端连接交叉环振的输入端，交叉环振的输出端连接RC充放电网络的输入端，RC充放电网络的输出端连接比较器的同相输入端。

2.根据权利要求1所述的片上低温度系数可修调频率RC振荡器，其特征在于：所述分压基准网络包括：

电阻R5一端连接电源VDD，另一端作为分压基准网络的输出端；电阻R6和电阻R7并联后连接在地和分压基准网络的输出端之间。

3.根据权利要求2所述的片上低温度系数可修调频率RC振荡器，其特征在于：所述电阻R5和电阻R6为正温度系数电阻，所述R7为负温度系数电阻。

4.根据权利要求1所述的片上低温度系数可修调频率RC振荡器，其特征在于：所述比较器有两个，包括第一比较器A1和第二比较器A2；其中第一比较器A1与第二比较器A2的反相输入端相互连接，形成反相公共端，且该反相公共端连接分压基准网络的输出端，第一比较器A1的同相输入端连接MOS管M7的漏极，第二比较器A2的同相输入端连接MOS管M6的漏极。

5.根据权利要求1所述的片上低温度系数可修调频率RC振荡器，其特征在于：所述交叉环振包括：

反相器inv1的输入端、MOS管M1的漏极和MOS管M4的栅极连接第一比较器A1的输出端，反相器inv1的输出端连接反相器inv2的输入端，反相器inv2的输出端连接反相器inv5和反相器inv4的输入端，反相器inv4地引脚连接MOS管M3的漏极，MOS管M3的源极接地，反相器inv4的输出端连接反相器inv3的输入端，反相器inv3的输出端连接MOS管M1的栅极，MOS管M1的源极接地，反相器inv5输出端与反相器inv11输入端的公共端连接RC充放电网络中MOS管M5和MOS管M6的栅极公共端，反相器inv11的输出端是clk时钟输出；

反相器inv7的输入端、MOS管M2的漏极和MOS管M3的栅极连接第一比较器A1的输出端，反相器inv7的输出端连接反相器inv9的输入端，反相器inv9的输出端连接反相器inv10和反相器inv8的输入端，反相器inv8中地引脚连接MOS管M4的漏极，MOS管M4的源极接地，反相器inv8的输出端连接反相器inv6的输入端，反相器inv6的输出端连接MOS管M2的栅极，MOS管M2的源极接地，反相器inv10输出端与反相器inv12输入端的公共端连接RC充放电网络中MOS管M7和MOS管M8的栅极公共端，反相器inv12的输出端是clk时钟输出。

6.根据权利要求1或5所述的片上低温度系数可修调频率RC振荡器，其特征在于：所述RC充放电网络包括：

MOS管M5的源极接电源VDD，MOS管M5的漏极与电阻R1和电阻R2串联连接，MOS管M6的漏极接电阻R2和第二比较器A2的同相输入端，可变电容C1并联接在MOS管M6的漏极和源极；

MOS管M8的源极接电源VDD，MOS管M8的漏极与电阻R4和电阻R3串联连接，MOS管M7的漏极接电阻R3和第一比较器A1的同相输入端，可变电容C2并联接在MOS管M7的漏极和源极。

7.根据权利要求6所述的片上低温度系数可修调频率RC振荡器，其特征在于：所述电阻R1和电阻R4为正温度系数电阻；所述电阻R2和电阻R3为负温度系数电阻。

8.根据权利要求6所述的片上低温度系数可修调频率RC振荡器，其特征在于：所述可变电容C1和可变电容C2的电容值大小受数据总线控制。