[实用新型]一种LED驱动芯片的自锁保护电路及其应用电路有效

专利信息
申请号: 201721824047.5 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN208016054U 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 王宗友;邹超洋;凌彩萌 申请(专利权)人: 深圳市崧盛电子股份有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 林俭良;高瑞
地址: 518101 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 接地电路 自锁保护电路 本实用新型 一次侧绕组 输入电路 应用电路 主变压器 引脚 驱动电源 输出 检测
【权利要求书】:

1.一种LED驱动芯片的自锁保护电路,包括输入电路、第一接地电路以及第二接地电路,其特征在于,所述输入电路分别与所述第一接地电路以及第二接地电路连接,用于接入LED驱动电源主变压器的一次侧绕组电压;所述第一接地电路与所述LED驱动芯片的第五引脚连接,用于拉低所述LED驱动芯片的ZCD脚电压;所述第二接地电路与所述LED驱动芯片的第八引脚连接,用于拉低所述LED驱动芯片的VCC脚电压。

2.根据权利要求1所述的自锁保护电路,其特征在于,所述输入电路包括电阻R1以及稳压二极管ZD1,所述电阻R1的一端接入所述LED驱动电源主变压器的一次侧绕组电压,所述电阻R1的另一端与所述稳压二极管ZD2的一端连接,所述稳压二极管ZD1分别与所述第一接地电路以及第二接地电路连接。

3.根据权利要求1所述的自锁保护电路,其特征在于,所述第一接地电路包括电容C1以及三极管Q1,所述三极管Q1的集电极与所述LED驱动芯片的第五引脚连接,所述三极管Q1的基极分别与所述输入电路以及所述电容C1的一端连接,所述三极管Q1的发射极以及所述电容C1的另一端均接地。

4.根据权利要求1所述的自锁保护电路,其特征在于,所述第二接地电路包括三极管Q2、三极管Q3、电阻R2、电阻R3、以及电阻R4,所述三极管Q2的发射极经所述电阻R2与所述LED驱动芯片的第八引脚连接,所述三极管Q2的基极经所述电阻R3与所述三极管Q2的集电极连接,所述三极管Q2的集电极分别与所述输入电路、三极管Q3的基极以及所述电阻R4的一端连接,所述三极管Q3的集电极与所述三极管Q2的基极连接,所述三极管Q3的发射极以及所述电阻R4的另一端均接地。

5.一种自锁保护电路的应用电路,包括芯片电路、光耦反馈电路、绕组电压电路以及如权利要求1-4任一项所述的自锁保护电路,其特征在于,所述芯片电路与所述绕组电压电路均接入外部电源,所述光耦反馈电路分别与所述芯片电路以及所述绕组电压电路连接,所述自锁保护电路分别与所述芯片电路以及所述绕组电压电路连接。

6.根据权利要求5所述的自锁保护电路的应用电路,其特征在于,所述芯片电路包括LED驱动芯片、电阻R5、相互串联连接的电阻R6和电阻R7、相互串联连接的电阻R8和电阻R9、相互并联连接的电阻R10和电容C5、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电容C2、电容C3、电容C4、二极管D1以及MOSFET管M1;所述绕组电压电路包括第一原边绕组、第二原边绕组、第一幅边绕组、二极管D2、二极管D3、电阻R20、电阻R21、稳压二极管ZD1、电容C6以及三极管Q4;所述光耦反馈电路包括光耦U1以及电阻R19。

7.根据权利要求6所述的自锁保护电路的应用电路,其特征在于,所述LED驱动芯片的第八引脚分别经所述串联连接的电阻R8和电阻R9接入所述外部电源以及经所述电容C2接地,所述串联连接的电阻R6和电阻R7的一端接入所述外部电源,所述串联连接的电阻R6和电阻R7的另一端分别经所述电阻R5接地,所述LED驱动芯片的第三引脚分别与所述串联连接的电阻R6和电阻R7的另一端连接以及经所述电容C3接地。

8.根据权利要求6所述的自锁保护电路的应用电路,其特征在于,所述LED驱动芯片的第二引脚与所述并联连接的电阻R10和电容C5的一端连接,所述并联连接的电阻R10和电容C5的另一端与所述LED驱动芯片的第一引脚连接,所述LED驱动芯片的第七引脚分别与所述电阻R13的一端、所述电阻R14的一端连接,所述电阻R13的另一端经所述二极管D1与所述MOSFET管M1的栅极连接,所述电阻R14的另一端与所述MOSFET管M1的栅极连接。

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