[实用新型]一种倒置的电容传感器有效

专利信息
申请号: 201721822042.9 申请日: 2017-12-23
公开(公告)号: CN207662424U 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 苏伟;王雷;王海峰;高荣亮 申请(专利权)人: 深圳市志凌伟业技术股份有限公司
主分类号: G01D5/24 分类号: G01D5/24
代理公司: 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 代理人: 马金华
地址: 518000 广东省深圳市龙华新区观澜*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电容传感器 电容 测量 倒置 铜箔层 隔层 芯片 电容屏蔽 布置区域 电路元件 人手 本实用新型 矩形箱体状 便于拆装 准确控制 伸缩框 挡杆 挡住 检修
【说明书】:

本实用新型公开了一种倒置的电容传感器,包括电容屏蔽层、电容传感器铜箔层、电路元件布置区域、电容值测量芯片和隔层,所述电容屏蔽层呈无上表面的矩形箱体状结构,电容屏蔽层的内部设有电容传感器铜箔层,此装置中将电路元件布置区域和电容值测量芯片倒置后达到了使人手和电容达到一定距离时即可测量,适用范围较广,电容传感器铜箔层上方设有隔层,隔层能够起到保护作用,且隔层的高度能够通过伸缩框控制,便于准确控制人手和电容之间的距离,提高了测量的准确性,挡杆能够将电容值测量芯片挡住,无需将电容值测量芯片设置在电容传感器铜箔层的底部固定,倒置后的电容传感器还便于拆装和检修电容值测量芯片,适合推广。

技术领域

本实用新型涉及电容传感器技术领域,具体为一种倒置的电容传感器。

背景技术

专利号为:201520756253.1,专利名为:一种新型电容传感器的文献中解决了阵列结构设计时出现引线繁琐、不美观、不易维护等难题,具备可穿戴性、可扩展性、可移植性及易维护等特点,但它在实际使用的过程中仍存在以下弊端:

1.装置中电路元件布置区域和电容值测量芯片设置在电容传感器铜箔层的底端,检测时需将人的手和电容达到足够近的距离才可测量,限制性较强;

2.电容传感器铜箔层上方仅设有涂层保护,保护性较强,且人手与电容之间的距离往往只能通过人体感官来确定,准确性较低,不能达到确定手与电容之间距离的目的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种倒置的电容传感器,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种倒置的电容传感器,包括电容屏蔽层、电容传感器铜箔层、电路元件布置区域、电容值测量芯片和隔层,所述电容屏蔽层呈无上表面的矩形箱体状结构,电容屏蔽层的内部设有电容传感器铜箔层,电容传感器铜箔层和电容屏蔽层的底面接触处垫有柔性支撑材料层,所述电容传感器铜箔层中间隔设有电路元件布置区域,电路元件布置区域的上表面的凹槽中设有电容值测量芯片,每个电路元件布置区域的前后两侧均设有挡杆,所述挡杆通过固定轴铰接在电容屏蔽层的上表面,电容传感器铜箔层外围的电容屏蔽层的内壁中还设有伸缩槽,伸缩槽的底端面上固定设有小型气缸,小型气缸上的伸缩杆与伸缩框的下表面固定连接,所述伸缩框呈矩形框体状结构,伸缩框活动设在伸缩槽内,伸缩框的上端贯穿伸缩槽的上表面并突出于电容传感器铜箔层的上表面设置,伸缩框的上表面贴合设有隔层,所述隔层设在电容传感器铜箔层的上方。

优选的,所述挡杆呈矩形杆状结构,挡杆的长度为电容屏蔽层的宽度的一半,前后两个相对应的挡杆相合时正好位于电容值测量芯片的上表面。

优选的,所述伸缩槽呈矩形框体状的槽体结构,伸缩槽上端贯穿电容屏蔽层的上表面设置,且伸缩槽贯穿电容屏蔽层处的宽度小于伸缩槽下端位置的宽度。

优选的,所述伸缩框的高度大于伸缩槽的深度,伸缩框底面处的宽度和伸缩槽的宽度一致。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型结构设置合理,功能性强,具有以下优点:

1.此装置中电路元件布置区域和电容值测量芯片设置在电容传感器铜箔层的上端,将电路元件布置区域和电容值测量芯片倒置后达到了使人手和电容达到一定距离时即可测量,适用范围较广;

2.电容传感器铜箔层上方设有隔层,隔层能够起到保护作用,且隔层的高度能够通过伸缩框控制,便于准确控制人手和电容之间的距离,提高了测量的准确性;

3.挡杆能够将电容值测量芯片挡住,无需将电容值测量芯片设置在电容传感器铜箔层的底部固定,倒置后的电容传感器还便于拆装和检修电容值测量芯片,适合推广。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型电容屏蔽层内部结构示意图。

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