[实用新型]一种锂电管理系统大电流MOS高效驱动电路有效

专利信息
申请号: 201721821726.7 申请日: 2017-12-23
公开(公告)号: CN208094169U 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 张丽 申请(专利权)人: 深圳市实用半导体有限公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18
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地址: 518000 广东省深圳市坪山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电阻 大电流 高效驱动电路 本实用新型 管理系统 连接电阻 一端连接 三极管 锂电 二极管 专用驱动 阻容器件 锂电池 关断
【说明书】:

实用新型公开了一种锂电管理系统大电流MOS高效驱动电路,包括MOS管Q9、电阻R1、MOS管Q11和三极管Q18;所述MOS管Q9的G极连接电阻R99和电阻R100,MOS管Q9的D级连接电阻R1,电阻R1的另一端连接MOS管Q11的栅极和电阻R102,电阻R102的另一端连接MOS管Q11的S极。本实用新型结合MCU,只需一个三极管和二个二极管及少量阻容器件即可实现大功率MOS在大电流时快速可靠关断,保护锂电池,较传统专用驱动IC方案,降低了成本,减少PCB面积,使产品更小。

技术领域

本实用新型涉及一种驱动电路,具体是一种锂电管理系统大电流MOS高效驱动电路。

背景技术

锂电保护使用大功率MOS做为切换开关是一种高效和低成本方案,但需要良好的驱动信号才能最大程度发挥出MOS器件的性能,保证高可靠性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种锂电管理系统大电流MOS高效驱动电路以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种锂电管理系统大电流MOS高效驱动电路,包括MOS管Q9、电阻R1、MOS管Q11和三极管Q18;所述MOS管Q9的G极连接电阻R99和电阻R100,MOS管Q9的D级连接电阻R1,电阻R1的另一端连接MOS管Q11的栅极和电阻R102,电阻R102的另一端连接MOS管Q11的S极,MOS管Q11的D级连接二极管D33的阳极和二极管D34的阳极,二极管D33的阴极连接电阻R10和电阻R85,二极管D34的阴极连接三极管Q18的R极和电阻R11,电阻R11的另一端连接三极管Q18的C极,电阻R85的另一端连接三极管Q18的E级。

作为本实用新型进一步的方案:所述电阻R100的另一端连接输入信号CHG_ON。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型结合MCU,只需一个三极管和二个二极管及少量阻容器件即可实现大功率MOS在大电流时快速可靠关断,保护锂电池,较传统专用驱动IC方案,降低了成本,减少PCB面积,使产品更小。

附图说明

图1为本实用新型锂电管理系统大电流MOS高效驱动电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1,本实用新型实施例中,一种锂电管理系统大电流MOS高效驱动电路,包括MOS管Q9、电阻R1、MOS管Q11和三极管Q18;所述MOS管Q9的G极连接电阻R99和电阻R100,MOS管Q9的D级连接电阻R1,电阻R1的另一端连接MOS管Q11的栅极和电阻R102,电阻R102的另一端连接MOS管Q11的S极,MOS管Q11的D级连接二极管D33的阳极和二极管D34的阳极,二极管D33的阴极连接电阻R10和电阻R85,二极管D34的阴极连接三极管Q18的R极和电阻R11,电阻R11的另一端连接三极管Q18的C极,电阻R85的另一端连接三极管Q18的E级。

电阻R100的另一端连接输入信号CHG_ON。

本实用新型的工作原理是:本实用新型能够在大电流MOS保护动作时,提供MOS需要的快速、彻底的关断信号,防止MOS因为关断不彻底造成温升高而烧毁,单片机通过Q9给出MOS控制信号,通过Q11提供12V驱动电源。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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