[实用新型]低功耗宽频带二倍频器电路

说明书

本实用新型涉及一种低功耗宽频带二倍频器电路。现有频率源频率比较低限制了其在射频通信系统中的应用，通过压控振荡器级联倍频器的方法实现高频频率源。本实用新型包括一个push‑push结构、一个输入巴伦、两个匹配网络；push‑push结构由两个HBT三极管构成，输入巴伦是通过将两层金属上下层耦合的方式来实现，两个匹配网络包括输入匹配网络和输出匹配网络。本实用新型实现了较宽的频率工作范围和低功耗的性能。

技术领域

本实用新型属于微电子技术领域，涉及一种低功耗宽频带二倍频器电路。

背景技术

近年来随着毫米波无线通信系统的迅猛发展，毫米波频率源在成像、医疗、军事等领域的应用越来越普及，应用频段也越来越高，对毫米波信号源的需要也越来越迫切。然而直接获得的高频频率源在频率稳定度和相位噪声等方面不能达到通信系统的要求，这样就需要设计宽频带倍频器来实现高频频率源以满足通信系统的要求。作为高频频率源中最基本的构成模块，倍频器将压控振荡器的频率提升到更高的频段，对频率源的性能起着举足轻重的作用。倍频器在保证功耗的前提下，应有较宽的频率覆盖范围，以满足不同应用的需要。

倍频器常用的结构有单管倍频器、push-push倍频器和注入锁定倍频器等。单管倍频器因为采用单个晶体管，结构简单，便于实现。但其对基波的抑制程度较差，限制了它在射频通信系统中的应用。传统注入锁定倍频器利用晶体管的非线性，谐波发生器能够产生输入频率的各次谐波信号，然后这些谐波信号注入振荡器，当振荡器的谐振频率在输入信号频率的n倍时，n次谐波获得最大环路增益，从而实现n倍频的功能。这类倍频器工作频带范围较窄，应用范围有限而且结构复杂，实现困难。因此在低功耗要求下如何提高倍频器的工作带宽成为倍频器电路设计的关键问题。

中国专利CN 102270964 A，提出了一种通过对输入信号做出响应产生具有相位差的N个信号的分相器路然后通过混频的方式来实现N倍频。主要利用了分相器和混频器，缺点是结构复杂，应用频段不高。

中国专利CN 104079242 A，提出了一种用Lange耦合器和两个晶体管结构的3倍频器，主要利用了Lange耦合器。缺点是两个Lange耦合器设计复杂费时，电路结构中无源器件太多，芯片面积较大。

发明内容

本实用新型目的是提供一种低功耗宽频带的，适用于InP HBT(HBT指代异质结双极型晶体管)工艺的二倍频器电路。

本实用新型包括一个push-push结构、一个输入巴伦，两个匹配网络；push-push结构由两个HBT管构成，输入巴伦是通过将两层金属上下层耦合的方式来实现，两个匹配网络包括输入匹配网络和输出匹配网络。

第一HBT管(T1)和第二HBT管(T2)构成push-push结构，其中第一HBT管(T1)的集电极与第二HBT管(T2)的集电极连接，作为输出端(Vout)。第一HBT管(T1)的射极和第二HBT管(T2)的射极相连，然后接地。第一HBT管(T1)的基极和巴伦(TR1)次级的同相输出端(B2P)相连，第二HBT管(T2)的基极和巴伦次级的反相输出端(B2N)相连。

输入匹配电容(C1)一端和输入信号相连，另一端和巴伦初级的同相输入端(B1P)相连。巴伦初级的反向输入端(B1N)接地。输出匹配电容(C2)一端和push-push结构的输出端(Vout)相连，另一端作为整个电路的输出端。第一匹配电感(L1)一端接第一HBT管(T1)的集电极，另一端与第二滤波电容(C4)一端连接后接偏置电压Vcc。第二匹配电感(L2)一端接第二HBT管(T2)的集电极，另一端与第四滤波电容(C6)一端连接后接偏置电压Vcc。第一偏置电阻(R1)一端接第一HBT管(T1)的基极，另一端与第一滤波电容(C3)一端连接后接偏置电压Vb。第二偏置电阻(R2)一端接第二HBT管(T2)的基极，另一端与第三滤波电容(C5)一端连接后接偏置电压Vb。