[实用新型]基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片

权利要求书

1.一种基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：包括：

SOI硅片，具有衬底硅、埋氧层以及顶层硅；

包含顶层硅-第一介质薄膜-热敏电阻-第二介质薄膜形成的图形化堆叠结构，所述图形化堆叠结构包含交叉网状结构，所述图形化堆叠结构下方具有所述衬底硅及所述埋氧层被图形化形成的释放槽，所述图形化堆叠结构悬挂于所述释放槽中；

盖基片，键合于所述顶层硅，所述盖基片具有微沟槽，所述图形化堆叠结构位于所述微沟槽内；

微色谱柱的微沟道，形成于所述衬底硅中，所述微沟道内具有微柱阵列，所述微沟道与所述释放槽连通；以及

底基片，键合于所述SOI硅片的衬底硅，以形成包含所述微沟槽、所述释放槽及所述微沟道的微通道。

2.根据权利要求1所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述SOI硅片的顶层硅中还形成有焊盘凹槽，所述焊盘凹槽中形成有焊盘结构，所述焊盘结构与所述热敏电阻电性相连。

3.根据权利要求2所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述交叉网状结构具有多个延伸部，各延伸部与所述SOI硅片连接，以支撑所述交叉网状结构。

4.根据权利要求3所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述热敏电阻呈锯齿状沿所述交叉网状结构延伸，并与所述焊盘结构相连接。

5.根据权利要求1所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述热敏电阻所采用的金属包括Pt/Ti叠层、Ni/Cr叠层、W/Ti叠层及W/Re叠层中的一种。

6.根据权利要求1所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述第一介质薄膜及第二介质薄膜包括氧化硅薄膜及氮化硅薄膜的一种或两种组成的叠层结构。

7.根据权利要求6所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述第一介质薄膜及第二介质薄膜为氧化硅薄膜及氮化硅薄膜组成的叠层结构，所述第一介质薄膜自下而上为氧化硅薄膜与氮化硅薄膜叠层结构，所述第二介质薄膜自下而上为氮化硅薄膜与氧化硅薄膜叠层结构。

8.根据权利要求1所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述第一介质薄膜及第二介质薄膜为包裹所述热敏电阻或夹持所述热敏电阻。

9.根据权利要求1所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述图形化堆叠结构悬挂于所述释放槽的中央区域。

10.根据权利要求1所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述盖基片包含玻璃盖片，所述底基片包含玻璃底片，所述玻璃盖片与所述SOI硅片的顶层硅的键合包含静电键合，所述玻璃底片与所述SOI硅片的衬底硅的键合包含静电键合。

11.根据权利要求1所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述微沟道呈往返弯折延伸状形成于所述衬底硅中，所述释放槽连接于所述微沟道的两端，作为所述微通道的入口端及出口端。

12.根据权利要求11所述的基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，其特征在于：所述微通道的入口端及出口端同时形成有所述顶层硅-第一介质薄膜-热敏电阻-第二介质薄膜的图形化堆叠结构。