[实用新型]一种无反馈集中供电式的开关电源有效
| 申请号: | 201721813183.4 | 申请日: | 2017-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN207720032U | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
| 发明(设计)人: | 周浩洁;司呈恪;柳水莲;刘涛;于新叶;李志民;周其缙;张爱苓 | 申请(专利权)人: | 广州东方电科自动化有限公司 |
| 主分类号: | H02M5/458 | 分类号: | H02M5/458;H02M7/5387 |
| 代理公司: | 中山市高端专利代理事务所(特殊普通合伙) 44346 | 代理人: | 袁媛 |
| 地址: | 510000 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 支路 集中供电 开关电源 无反馈 高频交流方波 全桥逆变装置 直流电 高频交流 整流滤波 直流电源 主电源 变压器 隔离 | ||
本方案采取一种无反馈集中供电式的开关电源,由主电源提供直流电源,直流电经过全桥逆变装置后变为高频交流方波,高频交流方波分到各个支路,经过每一条支路的变压器实现隔离,经过整流滤波供到各个支路。
技术领域
本实用新型涉及一种无反馈集中供电式的开关电源。
背景技术
现有技术开关电源主要采用反馈式系统,当遇到需要隔离的电源很多,并且对电源功率要求不是很高时,如果对每一路都采用反馈系统,会使得整个装置的成本过于高昂。
实用新型内容
本实用新型所解决的技术问题在于提出一种无反馈集中供电式的开关电源,以解决上述背景技术中所述的问题。
本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
本方案采取无反馈集中供电式电源,由主电源提供直流电源,直流电经过全桥逆变装置后变为高频交流方波,高频交流方波分到各个支路,经过每一条支路的变压器实现隔离,经过整流滤波供到各个支路。
总电源1输出直流电,经过全桥斩波装置2变换为高频交流方波,高频交流方波分到各个支路的变压器3,经过变压器3变压后再整流滤波可以实现最终需要的直流电源4。
其中全桥斩波装置由芯片sg3525为核心,芯片的11和14管脚输出占空比为45%相反的方波,经过非门后对方波取反,分别驱动上下桥芯片,上下桥芯片采用P沟道MOSFET和N沟道MOSFET, IRF9530NS为典型的P沟道MOSFET,SPP11N60C2为典型的N沟道MOSFET,直流经过全桥斩波装置变为高频交流方波信号。
有益效果:本方案各个支路电源无反馈系统,组装简单,降低了成本。
附图说明
图1为本实用新型较佳的实施例示意图。
图2为本实用新型全桥斩波装置的示意图。
图中:总电源1、全桥斩波装置2、变压器3、电源4。
具体实施方式
为了使本实用新型的实现技术手段、创作特征、达成目的与功效,易于明白了解、下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
根据图1-2所示一种无反馈集中供电式的开关电源,总电源1 输出直流电,经过全桥斩波装置2变换为高频交流方波,高频交流方波分到各个支路的变压器3,经过变压器3变压后再整流滤波可以实现最终需要的直流电源4,其中全桥斩波装置由芯片sg3525为核心,芯片的11和14管脚输出占空比为45%相反的方波,经过非门后对方波取反,分别驱动上下桥芯片,上下桥芯片采用P沟道MOSFET和N 沟道MOSFET,IRF9530NS为典型的P沟道MOSFET,SPP11N60C2为典型的N沟道MOSFET,直流经过全桥斩波装置变为高频交流方波信号。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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