[实用新型]一种太阳能异质结电池

权利要求书

1.一种太阳能异质结电池，其特征在于，所述太阳能异质结电池包括第一叠层ITO和第二叠层ITO，所述第一叠层ITO和所述第二叠层ITO分别设置在所述太阳能异质结电池的两面，所述第一叠层ITO包括第一不掺水ITO层、第一掺水ITO透明导电层和第三不掺水ITO层，所述第二叠层ITO包括第二不掺水ITO层、第二掺水ITO透明导电层和第四不掺水ITO层。

2.根据权利要求1所述的太阳能异质结电池，其特征在于，在所述第一叠层ITO中，沿远离所述太阳能异质结电池的方向，所述第一不掺水ITO层、所述第一掺水ITO透明导电层和所述第三不掺水ITO层依次叠加设置；在所述第二叠层ITO中，沿远离所述太阳能异质结电池的方向，所述第二不掺水ITO层、所述第二掺水ITO透明导电层和所述第四不掺水ITO层依次叠加设置。

3.根据权利要求1所述的太阳能异质结电池，其特征在于，所述第一掺水ITO透明导电层和所述第二掺水ITO透明导电层的厚度均为50-110nm。

4.根据权利要求2所述的太阳能异质结电池，其特征在于，

所述第一不掺水ITO层和所述第二不掺水ITO层的厚度均为5-10nm；

所述第一不掺水ITO层的方块电阻为20-80Ω/□，所述第二不掺水ITO层的方块电阻为130-200Ω/□；或者，

所述第一不掺水ITO层的方块电阻为130-200Ω/□，所述第二不掺水ITO层的方块电阻为20-80Ω/□。

5.根据权利要求2所述的太阳能异质结电池，其特征在于，所述第三不掺水ITO层和所述第四不掺水ITO层的厚度均为5-10nm，方块电阻均为20-80Ω/□。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的太阳能异质结电池，其特征在于，所述太阳能异质结电池还包括单晶硅片、第一本征非晶硅钝化层、第二本征非晶硅钝化层、第一非晶硅掺杂层、第二非晶硅掺杂层、第一电极和第二电极。

7.根据权利要求6所述的太阳能异质结电池，其特征在于，所述太阳能异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一叠层ITO、第一非晶硅掺杂层、第一本征非晶硅钝化层、单晶硅片、第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅掺杂层、第二叠层ITO和第二电极。

8.根据权利要求7所述的太阳能异质结电池，其特征在于，所述单晶硅片为n型单晶硅片，厚度为50-300μm。

9.根据权利要求7所述的太阳能异质结电池，其特征在于，所述第一本征非晶硅钝化层和所述第二本征非晶硅钝化层的厚度均为1-20nm。

10.根据权利要求7所述的太阳能异质结电池，其特征在于，

所述第一非晶硅掺杂层和所述第二非晶硅掺杂层的厚度均为3-20nm；

所述第一非晶硅掺杂层为P型非晶硅掺杂层，所述第二非晶硅掺杂层为N型非晶硅掺杂层；或者

所述第一非晶硅掺杂层为N型非晶硅掺杂层，所述第二非晶硅掺杂层为P型非晶硅掺杂层。

11.根据权利要求7所述的太阳能异质结电池，其特征在于，

所述第一不掺水ITO层和所述第二不掺水ITO层的厚度均为5-10nm；

所述第一不掺水ITO层的方块电阻为20-80Ω/□，所述第二不掺水ITO层的方块电阻为130-200Ω/□；

所述第一非晶硅掺杂层和所述第二非晶硅掺杂层的厚度均为3-20nm；

所述第一非晶硅掺杂层为N型非晶硅掺杂层，所述第二非晶硅掺杂层为P型非晶硅掺杂层。