[实用新型]基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯

权利要求书

1.一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：

第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极，其中，

所述公共正电极组件设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件及所述白光发光组件上，所述第一蓝光发光组件负电极、所述第一红光发光组件负电极、所述第一绿光发光组件负电极分别设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件及所述第一绿光发光组件上，所述白光发光组件负极设置于所述白光发光组上；

还包括：第一SiO₂隔离壁，设置于隔离所述蓝光发光组件与所述红光发光组件之间；第二SiO₂隔离壁，设置于隔离所述红光发光组件与所述绿光发光组件之间；白光隔离壁，设置于隔离所述绿光发光组件与所述白光发光组件之间；

所述白光发光组件包括第二蓝光发光组件、第二红光发光组件、第二绿光发光组件；

所述公共正电极组件包括：第一金属接触层，设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件上表面；

反光金属层，设置于所述第一金属接触层上；

第二金属接触层，设置于所述反光金属层上；

导电衬底层，设置于所述第二金属接触层上。

2.一种LED灯，包括LED支架，其特征在于，还包括如权利要求1所述的LED芯片，所述LED芯片装载于所述LED支架上。