[实用新型]一种多层结构的芯片级封装LED器件及背光模组有效
| 申请号： | 201721786390.5 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN207781635U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 邢其彬;龚涛;张攻坚;施华平;张志宽 | 申请（专利权）人： | 深圳市聚飞光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/52;H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 江婷 |
| 地址： | 518111 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片级封装 反射腔 背光模组 胶层 本实用新型 多层结构 反射 发光 光萃取率 透明胶层 转换 腔体内壁 光效 覆盖 | ||
1.一种多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，包括：
形成有反射腔的反射胶体，设置于所述反射腔底部的LED芯片，形成于所述反射腔内将所述LED芯片覆盖的第一透明胶层，以及形成于所述反射腔内位于所述第一透明胶层之上的第一发光转换胶层；
所述反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°。
2.如权利要求1所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述LED芯片底部具有正极引脚和负极引脚，所述芯片级封装LED器件还包括设置于所述正极引脚和所述负极引脚之间的绝缘反射胶层。
3.如权利要求2所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述绝缘反射胶层的宽度等于所述正极引脚和所述负极引脚之间的间隙宽度。
4.如权利要求2所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述绝缘反射胶层为绝缘白胶层。
5.如权利要求1-4中任一项所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述芯片级封装LED器件还包括形成于所述反射腔内位于所述第一发光转换胶层之上的第二透明胶层，以及形成于所述反射腔内位于所述第二透明胶层之上的第二发光转换胶层。
6.如权利要求5所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述芯片级封装LED器件还包括形成于所述第二发光转换胶层之上的第三透明胶层。
7.如权利要求6所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述第三透明胶层为硅胶层或扩散层，所述扩散层为胶水与有机硅类颗粒混合物。
8.如权利要求1-4中任一项所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°且小于等于130°。
9.如权利要求1-4中任一项所述的多层结构的芯片级封装LED器件，其特征在于，所述反射腔的腔体内壁形状为平面、抛物面和椭球面中任意一种。
10.一种背光模组，其特征在于，所述背光模组包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，所述LED组件包括如权利要求1-9中任一项所述的多层结构的芯片级封装LED器件。
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