[实用新型]一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构有效
申请号: | 201721781485.8 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN207925473U | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 王文樑;李国强;李筱婵;李媛 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L29/04 | 分类号: | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈文姬 |
地址: | 511458 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 极性面 非掺杂 硅衬底 整流器 外延结构 本实用新型 制备 异质结界面 增强型器件 高频性能 碳掺杂 减小 生长 | ||
1.硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,包括在硅衬底上依次生长的非掺杂N极性面GaN缓冲层、碳掺杂N极性GaN层、非掺杂N极性面AlxGa1-xN层、非掺杂N极性面AlN插入层、非掺杂N极性面GaN层和N极性InGaN层;其中x=0.3~0.8。
2.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面GaN缓冲层包括非掺杂N极性面AlN缓冲层和非掺杂N极性面组分渐变AlyGa1-yN缓冲层;所述非掺杂N极性面组分渐变AlyGa1-yN缓冲层生长在非掺杂N极性面AlN缓冲层上面,非掺杂N极性面AlN缓冲层生长在硅衬底上;y=0.15~0.45;所述非掺杂N极性面GaN缓冲层的厚度为600-800nm;所述非掺杂N极性面AlN缓冲层的厚度为140-220nm。
3.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面组分渐变AlyGa1-yN缓冲层的厚度650-680nm。
4.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,碳掺杂N极性GaN层的厚度为80-180nm。
5.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面AlxGa1-xN层的厚度为300-450nm。
6.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面AlN插入层的厚度为2-15nm。
7.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面GaN层的厚度为500-1500nm。
8.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性InGaN层厚度为80-150nm。
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