[实用新型]一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构有效

专利信息
申请号: 201721781485.8 申请日: 2017-12-19
公开(公告)号: CN207925473U 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 王文樑;李国强;李筱婵;李媛 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L29/04 分类号: H01L29/04;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 陈文姬
地址: 511458 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 极性面 非掺杂 硅衬底 整流器 外延结构 本实用新型 制备 异质结界面 增强型器件 高频性能 碳掺杂 减小 生长
【权利要求书】:

1.硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,包括在硅衬底上依次生长的非掺杂N极性面GaN缓冲层、碳掺杂N极性GaN层、非掺杂N极性面AlxGa1-xN层、非掺杂N极性面AlN插入层、非掺杂N极性面GaN层和N极性InGaN层;其中x=0.3~0.8。

2.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面GaN缓冲层包括非掺杂N极性面AlN缓冲层和非掺杂N极性面组分渐变AlyGa1-yN缓冲层;所述非掺杂N极性面组分渐变AlyGa1-yN缓冲层生长在非掺杂N极性面AlN缓冲层上面,非掺杂N极性面AlN缓冲层生长在硅衬底上;y=0.15~0.45;所述非掺杂N极性面GaN缓冲层的厚度为600-800nm;所述非掺杂N极性面AlN缓冲层的厚度为140-220nm。

3.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面组分渐变AlyGa1-yN缓冲层的厚度650-680nm。

4.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,碳掺杂N极性GaN层的厚度为80-180nm。

5.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面AlxGa1-xN层的厚度为300-450nm。

6.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面AlN插入层的厚度为2-15nm。

7.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性面GaN层的厚度为500-1500nm。

8.根据权利要求1所述的硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构,其特征在于,所述非掺杂N极性InGaN层厚度为80-150nm。

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