[实用新型]一种基于PWM输出的磁粉驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种基于PWM输出的磁粉驱动电路，三极管Q2基极连接电阻R1、R2的连接端上，电阻R1另一端为PWM信号输入端，电阻R2另一端与三极管Q2射极接地，三极管Q2集电极通过电阻R3连接IGBT驱动器U1的阴极，IGBT驱动器U1的阳极连接5V电源，IGBT驱动器U1的电源端连接13V电源，IGBT驱动器U1的输出端连接功率放大管Q1的栅极，IGBT驱动器U1的接地端与功率放大管Q1的源极均接地，功率放大管Q1的漏极连接二极管D1阳极。本实用新型选用特定型号MOS管作来开关执行器件，避免了过热损坏。在磁粉功率输出端口并接二极管消除浪涌电压，可有效保证该电路的长时间工作不损坏。

技术领域

本实用新型涉及张力控制技术领域，尤其涉及一种基于PWM输出的磁粉驱动电路。

背景技术

在张力控制行业中，磁粉驱动电路是张力控制器的核心电路。现有技术绝大多数控制器的故障都来源于该电路的的设计不合理，如自身功耗过大导致的过热损坏，甚至是器件选择不当导致的耐冲击电压不够而损坏。

实用新型内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种基于PWM输出的磁粉驱动电路，经过合理设计电路，保证了所有器件工作时不发热，无需散热片即可稳定工作，解决了热损坏问题。通过优化器件选型，解决了耐冲击电压问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种基于PWM输出的磁粉驱动电路，包括IGBT驱动器U1、功率放大管Q1、三极管Q2，所述三极管Q2基极连接电阻R1、R2的连接端上，所述电阻R1另一端为PWM信号输入端，所述电阻R2另一端与三极管Q2射极接地，所述三极管Q2集电极通过电阻R3连接IGBT驱动器U1的阴极，所述IGBT驱动器U1的阳极连接5V电源，所述IGBT驱动器U1的电源端连接13V电源，所述IGBT驱动器U1的输出端连接功率放大管Q1的栅极，所述IGBT驱动器U1的接地端与功率放大管Q1的源极均接地，所述功率放大管Q1的漏极连接二极管D1阳极。

进一步地，所述5V电源端连接滤波电容C1一端，所述电容C1另一端接地。

进一步地，所述13V电源与公共地之间连接并联的电容C2、C3。

进一步地，所述IGBT驱动器U1为TLP152芯片。

进一步地，所述功率放大管Q1为IRF3205S。

进一步地，所述二极管D1为STTH1002CG-TR。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型选用特定型号MOS管IRF3205S作来开关执行器件，其满功率温升只有25℃，避免了一般MOS管自身功耗过大导致的过热损坏。用IGBT驱动器芯片TLP152来驱动MOS管执行器件，性能优异。在磁粉功率输出端口并接二极管STTH1002CG-TR，消除磁粉端的产生的高压浪涌电压，可有效保证该电路的长时间工作不损坏。

以下将结合附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本实用新型的目的、特征和效果。

附图说明

图1是本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

如图1所示，一种基于PWM输出的磁粉驱动电路，包括IGBT驱动器U1、功率放大管Q1、三极管Q2，所述三极管Q2基极连接电阻R1、R2的连接端上，所述电阻R1另一端为PWM信号输入端，所述电阻R2另一端与三极管Q2射极接地，所述三极管Q2集电极通过电阻R3连接IGBT驱动器U1的阴极，所述IGBT驱动器U1的阳极连接5V电源，所述IGBT驱动器U1的电源端连接13V电源，所述IGBT驱动器U1的输出端连接功率放大管Q1的栅极，所述IGBT驱动器U1的接地端与功率放大管Q1的源极均接地，所述功率放大管Q1的漏极连接二极管D1阳极。