[实用新型]激光打标系统有效
| 申请号: | 201721779694.9 | 申请日: | 2017-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN207558765U | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
| 发明(设计)人: | 范永胜;陆叶兴;刘云欢;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 周全 |
| 地址: | 225008 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传送带 打标 不良品 芯片 分拣机构 激光打标机构 步进电机 打标机构 激光打标 连接控制器 工艺连接 气动剪刀 旋向相反 不停机 打标器 分拣 剪断 引脚 印记 传送 检测 | ||
激光打标系统。涉及芯片的打标工艺,打标时不需要切断工艺连接条,打标效率高且人工工作强度低。包括一对机架,一对机架之间设有一对旋向相反的传送带,一对传送带分别由不同的步进电机带动,一对传送带之间放置芯片,芯片有传送带带动,一对所述机架之间顺次设有检测机构、分拣机构和打标机构,芯片通过传送带传送依次经过检测机构、分拣机构和激光打标机构,步进电机、检测机构、分拣机构和激光打标机构分别连接控制器。检测到不良品时,打标器在不良品上印记,不良品能够被分拣出来。气动剪刀将不良品芯片的引脚部分剪断。不需要人工进行打标,降低了工作强度,在打标过程中打标机构不停机,提高了打标的效率。
技术领域
本发明涉及芯片的打标工艺,尤其涉及激光打标系统。
背景技术
现有TFT-LCD阵列工艺中,金属电极与金属电极间需要进行绝缘过孔的曝光工艺,经过刻蚀形成接触孔,再后续金属镀膜时,通过接触孔将金属层之间连通,从而实现TFT功能。常见绝缘层接触孔工艺连接的信号线包括栅极和源极,栅极和像素电极,源极和像素电极以及外围电路不同金属的导通等。
接触孔的常规做法是在需要连接的两层金属层中间覆盖一层绝缘膜,然后在绝缘膜表面涂覆感光材料(光致抗蚀剂膜)通过Mask曝光工艺形成接触孔图案之后进行显影,然后通过刻蚀工艺(通常采用干法等离子体刻蚀)对绝缘膜进行刻蚀,然后再将感光材料去除。从制备阵列基板的流程示意图中可以看出,通常需要2-3张接触孔掩膜板,而接触孔掩膜板的制作工艺复杂,制作周期相对较长,从设计制图至到厂上机完成接触孔掩膜板制作通常需要半个月的时间,并且一张掩膜板需要20-30万人民币,成本高而且只能用于特定产品而不能所有产品共用,当该特定产品停产时掩膜板即收起不再使用,造成资产的闲置浪费。
要实现产品的高像素要求和窄边框设计,要求信号线、扫描线、接触孔的尺寸实际要更精细。虽然现有技术如wing pattern曝光技术可以使信号线和扫描线等线宽设计超越设备曝光极限而不需改造设备,但对于接触孔的曝光在不进行设备改造的情况下却很难实现。使接触孔尺寸设计因曝光机分辨率原因而受到限制。由于更换曝光机的光学系统非常繁杂,相当于对设备进行重新组装,不仅耗费时间长,而且花费资金不菲。对于正常运行的生产线来说,设备停机重新进行组装,无疑会增大生产成本。
而使用激光打标方式则可以解决上述曝光工艺中所产生的问题,激光打标机在TFT基板制作中,通过激光对涂布感光性薄膜之后的基板特定区域进行光照,在特定位置形成特定标识(或特定图案),出现起初在激光打标机主机内设定的字样或图案,不需要掩膜板配合使用。其工作原理是将需要激光打标的信息通过打标软件输入计算机,打标软件按照打标要求将信息通过打标卡转换为信号控制激光器和X-Y扫描系统,使经过扩束准直后的激光由F-Theta场镜(物镜)聚焦后输出在被加工表面上扫描运动,形成激光标记。但由于F-Theta场镜激光存在畸变,不能满足如接触孔这样百纳米级的曝光精度要求。
国家知识产权局2016-1-6公开的一项发明专利申请(CN 105216455 A,一种激光打标装置及打标方法、打标系统),公开了一种激光打标装置及打标方法、打标系统,用于改善激光打标过程中的激光畸变,以提高曝光精度。所述激光打标装置包括机身本体和工作头,所述工作头包括至少一个扫描结构,所述扫描结构中的物镜采用远心镜头和/或双远心镜头。在使用时发现,由于芯片在打标之前需要进行不良品检测,所以芯片之间的工艺连接条已经切断,在打标时需要将芯片单体进行打标,工作效率低、耗时长且人工工作强度大。
发明内容
本发明针对以上问题,提供了一种在打标时不需要切断工艺连接条,打标效率高且人工工作强度低的激光打标系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





