[实用新型]基于横向二极管的TSV转接板有效
| 申请号： | 201721776415.3 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN208570599U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/48 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向二极管 衬底 集成电路系统 抗静电能力 隔离区 封装 本实用新型 二极管 串行连接 转接 互连线 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于横向二极管的TSV转接板，其特征在于，包括：
Si衬底(101)；
TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内，所述TSV区(102)内的填充材料为多晶硅；
隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于所述TSV区(102)之间；
横向二极管(104)，设置于所述Si衬底(101)内且位于所述隔离区(103)形成的封闭区域内；
互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述横向二极管(104)进行串行连接。
2.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)和所述隔离区(103)均上下贯通所述Si衬底(101)。
3.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)的第一端面和所述横向二极管(104)与互连线(105)之间设置有钨插塞。
4.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)的第二端面上设置有钨插塞和铜凸点(106)。
5.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV转接板还包括设置于所述Si衬底(101)的上表面和下表面的绝缘层。
6.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)和所述隔离区(103)的深度为40～80μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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