[实用新型]用于系统级封装的防静电装置有效
| 申请号： | 201721767596.3 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN207753013U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/70;H01L23/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 本实用新型 防静电装置 系统级封装 上下贯通 隔离区 器件区 抗静电能力 层叠封装 串行连接 纵向结构 互连线 凸点 芯片 加工 | ||
1.一种用于系统级封装的防静电装置，其特征在于，包括：
Si衬底(101)；
器件区，设置于所述Si衬底(101)内，包括纵向结构的SCR管(102)和隔离区(103)，所述隔离区(103)设置于所述SCR管(102)两侧且上下贯通所述Si衬底(101)；
第一TSV区(104)和第二TSV区(105)，设置于所述Si衬底(101)内且位于所述器件区两侧，上下贯通所述Si衬底(101)；
铜互连线，设置于所述Si衬底(101)上用于串行连接所述第一TSV区(104)的第一端面、所述SCR管(102)和所述第二TSV区(105)的第二端面；
铜凸点(106)，设置于所述第一TSV区(104)的第二端面和所述第二TSV区(105)的第二端面上。
2.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述互连线包括第一互连线和第二互连线。
3.根据权利要求2所述的防静电装置，其特征在于，所述SCR管(102)包括：P+控制极接触区、阴极、N+控制极接触区和阳极；其中，所述P+控制极接触区和所述阴极通过所述第一互连线连接所述第一TSV区(104)的第一端面，所述N+控制极接触区和所述阳极通过所述第二互连线连接所述第二TSV区(105)的第二端面。
4.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述SCR管(102)、所述第一TSV区(104)的第一端面和所述第二TSV区(105)的第二端面与所述互连线之间均设置有钨插塞。
5.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述第一TSV区(104)的第二端面和所述第二TSV区(105)的第二端面与所述铜凸点(106)之间设置有钨插塞。
6.根据权利要求1所述的防静电装置，其特征在于，所述隔离区(103)、所述第一TSV区(104)和第二TSV区(105)的深度为300μm～400μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721767596.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
