[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201721755979.9 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN207800625U | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 叠层结构 本实用新型 发光二极管 上表面 衬底 发光二极管器件 中心位置处 衬底表面 叠层材料 负电极 位置处 正电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
Si衬底；
Ge、Si叠层材料形成的叠层结构，位于所述Si衬底表面的中心位置处；
正电极，位于所述叠层结构的上表面；
负电极，位于所述Si衬底的上表面并位于叠层结构两侧的位置处。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述Si衬底的材料为单晶Si。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述叠层结构依次包括P型Ge层、Ge层、N型Ge层、N型Si层，且所述P型Ge层、Ge层、N型Ge层形成PiN结构。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层设位于所述Si衬底及所述叠层结构的上表面。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述正电极和所述负电极为Cr或者Au材料，且其厚度为150～200nm。
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