[实用新型]一种红外发射机有效
申请号: | 201721754036.4 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN207968496U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 冉文方 | 申请(专利权)人: | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
主分类号: | H04B10/50 | 分类号: | H04B10/50 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 李斌 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外发射机 红外LED光源 本实用新型 信号转换器 驱动电路 编码器 输出端 输入端 光源 传输链路 串行连接 电路设计 发光效率 激光器 红外LED | ||
本实用新型涉及一种红外发射机,其特征在于,包括:输入端、编码器、信号转换器、驱动电路、红外LED光源及输出端;其中,所述输入端、所述编码器、所述信号转换器、所述驱动电路、所述红外LED光源、及所述输出端依次串行连接以形成传输链路。本实用新型用红外LED代替激光器作为红外发射机的光源,降低了温度对光源发光效率的影响,从而简化了电路设计。
技术领域
本实用新型属光通信技术领域,特别涉及一种红外发射机。
背景技术
红外发射机的基本功能是将携带信息的电信号转换为光信号,并将光信号送入光纤中,即,红外发射机的作用是将从复用设备送来的HDB3信码变换成NRZ码,接着将NRZ码编为适合在光缆线路上传输的码型,最后再进行电/光转换,将电信号转换成光信号并耦合进光纤。因此,光纤通信技术的发展与光源技术的发展是密不可分的。
目前,常用的红外发射机的光源为激光光源,激光光源是高速调制的理想光源,但其也存在不可避免的问题。一方面,发射激光的半导体激光器对温度的变化是很敏感的,温度的变化和器件的老化给激光器带来了不稳定性,从而使输出功率发生很大的变化;另一方面,半导体激光器的使用寿命较短,维护成本较高。因此,在很多近距离、低速通信领域,则可以用发光二极管来代替半导体激光器作为红外发射机的光源。但传统的发光二极管存在发光效率低的问题,从而大大限制了其在通信领域中的应用。
因此,如何设计一种基于红外LED光源的红外发射机就变得极其重要。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种红外发射机,其中,包括:输入端、编码器、信号转换器、驱动电路、红外LED光源及输出端;其中,
所述输入端、所述编码器、所述信号转换器、所述驱动电路、所述红外LED光源、及所述输出端依次串行连接以形成传输链路。
在本实用新型的一个实施例中,所述编码器为8B/10B编码器。
在本实用新型的一个实施例中,所述信号转换器为D/A转换器。
在本实用新型的一个实施例中,所述红外LED光源包括:
底座;
引线架固定在所述底座上;
基板,设置于所述底座之上;
半导体芯片,设置于所述基板之上;
引线,连接所述引线架与所述半导体芯片;
透镜,设置于所述底座之上;
环氧树脂,填充于所述底座与所述透镜形成的空间内。
在本实用新型的一个实施例中,所述半导体芯片为纵向结构半导体芯片,包括:
Si衬底;
Si、Ge叠层材料形成的PiN台阶结构,设置于所述Si衬底表面的中心位置处;
正电极,设置于所述PiN台阶结构的上表面;
负电极,设置于所述Si衬底的上表面并位于PiN台阶结构两侧的位置处,以形成所述半导体芯片。
在本实用新型的一个实施例中,所述PiN台阶结构依次包括N型Si外延层、张应变Ge层、P型Ge层,且所述N型Si外延层、所述张应变Ge层及所述P型Ge层形成PiN结构。
在本实用新型的一个实施例中,所述张应变Ge层包括晶化Ge层和Ge外延层。
在本实用新型的一个实施例中,所述Ge外延层为本征Ge材料,且其厚度为400~450nm。
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