[实用新型]一种显示装置有效
| 申请号: | 201721744441.8 | 申请日: | 2017-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN207517695U | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
| 发明(设计)人: | 顾建刚 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素单元 发光功能层 滤光结构 显示装置 本实用新型 衬底基板 初始色 目标色 滤除 矩阵排列 色域范围 视角色偏 相对设置 低成本 共振腔 色域 角色 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
OLED基板,所述OLED基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上矩阵排列的多个像素单元,所述像素单元的发光功能层用于发出不同颜色的光线;
位于所述OLED基板的出光侧与所述OLED基板相对设置的滤光结构,所述滤光结构用于滤除所述发光功能层发出的部分光线以调节所述像素单元对应的初始色标至该所述像素单元对应的目标色标。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述像素单元包括红色像素单元,所述滤光结构用于滤除所述红色像素单元的发光功能层发出的第一波长范围的光线;其中,所述红色像素单元的发光功能层发出光线的波长范围为第二波长范围,所述第一波长范围中的最大波长小于所述第二波长范围中的中值波长。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述第一波长范围的最小波长为560纳米,所述第一波长范围的最大波长为620纳米。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述像素单元包括蓝色像素单元,所述滤光结构用于滤除所述蓝色像素单元的发光功能层发出的第三波长范围的光线;其中,所述蓝色像素单元的发光功能层发出光线的波长范围为第四波长范围,所述第三波长范围中的最小波长大于所述第四波长范围中的中值波长。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述第三波长范围的最小波长为470纳米,所述第三波长范围的最大波长为545纳米。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述像素单元包括绿色像素单元,所述滤光结构用于滤除所述绿色像素单元的发光功能层发出的第五波长范围的光线;其中,所述绿色像素单元的发光层发出光线的波长范围为第六波长范围,所述第五波长范围中的最小波长大于所述第六波长范围中的中值波长。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第五波长范围的最小波长为540纳米,所述第五波长范围的最大波长为600纳米。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括位于所述像素单元远离所述衬底基板一侧的偏光结构,所述滤光结构位于所述偏光结构远离所述像素单元的一侧。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,沿远离所述衬底基板的方向,所述像素单元依次包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极为反射电极或所述第二电极为反射电极。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述滤光结构包括矩阵排列的多个滤光单元,所述滤光单元与所述像素单元一一对应设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





