[实用新型]一种高压双向触发二极管扩散片

说明书

本实用新型公开了一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体，所述壳体的内部填充有环氧树脂封层，且环氧树脂封层的内部中部设有芯片，所述芯片的两侧对称焊接有焊片，两个所述焊片远离芯片的一侧均连接有铜引线接头，且铜引线接头远离焊片的一侧连接有铜引线，所述壳体和环氧树脂封层的内部均设有供铜引线排线的引线框架，所述铜引线置于引线框架的内部，且铜引线穿过引线框架的内壁向外延伸。本实用新型结构简单，易操作，具有耐高压的特点，能够过压保护电路，避免电路中的负载受到过压损害，提高了整个电路的稳定性和安全性，适宜广泛推广。

技术领域

本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种高压双向触发二极管扩散片。

背景技术

双向触发二极管亦称二端交流器件(DIAC)，与双向晶闸管同时问世。由于它结构简单、价格低廉，所以常用来触发双向晶闸管，还可构成过压保护等电路。双向触发二极管的构造、符号及等效电路。高压双向触发二极管(SIDAC)是一种二端半导体器件，其内部结构与双向晶闸管十分相似，区别在于没有触发门极，是电压自触发器件。SIDAC的工作状态如同一个开关，当电压低于断态峰值电压VDRM时，其漏电流IDRM极小(小于微安量级)，为断开状态；当电压超过其击穿电压UBO时，产生瞬间雪崩效应，该雪崩电流一旦超过开关电流IS，即进入雪崩倍增，在雪崩倍增下器件的阻抗骤然减小，电压降为导通电压(V<1.5V)，此时，SIDAC进入导通状态，允许通过大的通态电流(0.7-2A，RMS值)，当电流降到最小维持电流IH值之下时SIDAC恢复到断开状态。但是现有的高压双向触发二极管可靠性差，耐高压能力差，而且性能极不稳定，不能有效的保护电路中的负载，使得整个电路的安全性不高，导致生产成本的提高和资源的浪费。

实用新型内容

为了解决上述背景技术中提到的问题，本实用新型提供一种高压双向触发二极管扩散片。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种高压双向触发二极管扩散片，包括壳体，所述壳体的内部填充有环氧树脂封层，且环氧树脂封层的内部中部设有芯片，所述芯片的两侧对称焊接有焊片，两个所述焊片远离芯片的一侧均连接有铜引线接头，且铜引线接头远离焊片的一侧连接有铜引线，所述壳体和环氧树脂封层的内部均设有供铜引线排线的引线框架，所述铜引线置于引线框架的内部，且铜引线穿过引线框架的内壁向外延伸。

优选地，所述芯片为NPN三层结构的硅片，芯片包括第一N型半导体、P型半导体和第二N型半导体。

优选地，所述引线框架的内壁设有固定块。

优选地，所述壳体的外壁设有若干个空脚。

优选地，所述壳体的外壁对称设有两个接地端。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：芯片的外壁封装有环氧树脂封层，具有良好的绝缘性，将二极管安装在电路板中，壳体的外壁设置有用于接地保护的接地端，使用时更加安全，通过固定块将铜引线固定于引线框架的内壁，增加了铜引线的稳定性，避免铜引线松动而造成接触不良的局面，当电路中的电压过大后，高压双向触发二极管进入导通状态，使后面的负载免受过压损害，保护电路。本实用新型结构简单，易操作，具有耐高压的特点，能够过压保护电路，避免电路中的负载受到过压损害，提高了整个电路的稳定性和安全性，适宜广泛推广。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型芯片的结构示意图。

图中：壳体1、环氧树脂封层2、芯片3、焊片4、铜引线接头5、引线框架6、铜引线7、固定块8、空脚9、接地端10、第一N型半导体11、P型半导体12、第二N型半导体13。

具体实施方式