[实用新型]一种瞬态二极管芯片

说明书

本实用新型公开了一种瞬态二极管芯片，包括底座和壳体，所述底座的底部通过密封块与负极引线连接，所述底座的上端焊接有金锑合金，且金锑合金的上端设有N型硅片，所述N型硅片的上端设有P型硅片，且P型硅片与N型硅片的交界处形成PN结，所述P型硅片的上端焊接有铝合金小球，所述铝合金小球的上端焊接有正极引线，所述底座的上端内壁设有限位槽，且限位槽内设有壳体，所述正极引线穿过壳体的内壁向外延伸端的外壁固定套接有限位块，且正极引线与壳体连接处的外壁设有绝缘垫圈。本实用新型结构简单，解决了产品瞬态脉冲功率、反向漏电流、反向击穿电压之间的矛盾，满足了生产和使用的需求。

技术领域

本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种瞬态二极管芯片。

背景技术

瞬态电压抑制二极管是在稳压管的基础上发展起来的一种特殊二极管，是一种高效能的电路保护器件。具有体积小、响应快、瞬间吸收功率大、无噪声等优点。随着近年来航空、航天对瞬态电压抑制二极管的瞬态功率提出了更高的要求，目前的1.5KW硅瞬态电压抑制二极管系列产品已远远不能满足要求。为此需要研制瞬态功率更大的硅瞬态电压抑制二极管。

实用新型内容

为了解决上述背景技术中提到的问题，本实用新型提供一种瞬态二极管芯片。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种瞬态二极管芯片，包括底座和壳体，所述底座的底部通过密封块与负极引线连接，所述底座的上端焊接有金锑合金，且金锑合金的上端设有N型硅片，所述N型硅片的上端设有P型硅片，且P型硅片与N型硅片的交界处形成PN结，所述P型硅片的上端焊接有铝合金小球，所述铝合金小球的上端焊接有正极引线，所述底座的上端内壁设有限位槽，且限位槽内设有壳体，所述正极引线穿过壳体的内壁向外延伸端的外壁固定套接有限位块，且正极引线与壳体连接处的外壁设有绝缘垫圈。

优选地，所述壳体为环氧树脂制成，且壳体的内部填充有保护胶。

优选地，所述底座与负极引线和铝合金小球与正极引线之间为电阻焊。

优选地，所述金锑合金和N型硅片之间通过焊接片进行冶金熔焊。

优选地，所述壳体的外表面涂覆有阻燃层，且阻燃层包括水性聚氨酯阻燃涂料层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：底座的底部通过密封块与负极引线连接，能够起到一定的绝缘效果，而金锑合金的上端设有N型硅片，金锑合金和N型硅片之间通过焊接片进行冶金熔焊，结构更加稳固，其中P型硅片与N型硅片的交界处形成的PN结，是在P型硅片上扩散N⁺型层作PN结，再在P型硅片上扩散P⁺型层作欧姆结，形成N⁺PP⁺结构；PN结的结构或是在N型硅片上扩散N⁺型层作欧姆结，再在N型硅片扩散P⁺型层作PN结，形成P⁺NN⁺结构；同时为避免二极管由于过热导致烧毁，引起火灾，因此，在壳体的外表面涂覆有阻燃层，且阻燃层包括水性聚氨酯阻燃涂料层，可以阻止二极管发生自燃现象，提高了二极管的安全性。本实用新型结构简单，解决了产品瞬态脉冲功率、反向漏电流、反向击穿电压之间的矛盾，满足了生产和使用的需求。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型N型硅片和P型硅片制作的结构示意图。

图中：底座1、金锑合金2、N型硅片3、P型硅片4、铝合金小球5、负极引线6、密封块7、正极引线8、壳体9、限位槽10、焊接片11、绝缘垫圈12、限位块13。

具体实施方式