[实用新型]一种带有SRAM的驱动IC金属层结构有效
| 申请号： | 201721715059.4 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN207572363U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 何健;高金广;李弘历 | 申请（专利权）人： | 新相微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇区漕河泾新兴*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二导电层 第一导电层 本实用新型 金属层结构 导电层 金属层 驱动IC 导电层形成 降低器件 信号通道 互联线 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有SRAM的驱动IC金属层结构，包括：
第一导电层；
第二导电层，与所述第一导电层间隔开，所述第二导电层形成在所述第一导电层上方；
第三导电层，与所述第二导电层间隔开，所述第三导电层形成在所述第二导电层上方；
所述第一导电层和所述第二导电层之间以及所述第二导电层和所述第三导电层之间均形成信号通道。
2.根据权利要求1所述的金属层结构，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层之间以及所述第二导电层及所述第三导电层之间分别由二氧化硅填充。
3.根据权利要求1所述的金属层结构，其特征在于，在所述第三导电层上方形成钝化层。
4.据权利要求3所述的金属层结构，其特征在于，在所述钝化层上形成引脚框。
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