[实用新型]具有高散热性能的半导体器件有效
| 申请号： | 201721712985.6 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN207993848U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 戴建定 | 申请（专利权）人： | 四川洪芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 梁菊兰 |
| 地址： | 629200 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 通孔 外延片 空腔 半导体器件 成核层 高散热性能 横向生长 降低器件 本实用新型 等腰梯形 空腔连通 器件结构 器件性能 散热性能 上窄下宽 外部连通 相对侧面 上表面 下表面 晶格 适配 连通 生长 | ||
1.一种具有高散热性能的半导体器件，其特征在于，包括衬底及生长在所述衬底上的外延片：
所述衬底具有一个空腔，所述空腔的截面为上窄下宽的等腰梯形；在所述衬底的上表面具有若干将所述空腔与外延片的下表面连通的第一通孔，在所述衬底的下表面具有若干将所述空腔与衬底外部连通的第二通孔，所述第一通孔的数量少于所述第二通孔的数量；所述衬底的两个相对侧面上均设有与空腔连通的第三通孔；
所述外延片包括位于所述衬底上横向生长的成核层和位于所述成核层上的器件结构。
2.根据权利要求1所述的具有高散热性能的半导体器件，其特征在于，所述衬底为SiC衬底、GaN衬底、Si衬底、蓝宝石衬底或GaAs衬底。
3.根据权利要求1或2所述的具有高散热性能的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔在所述衬底上均匀分布。
4.根据权利要求3所述的具有高散热性能的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔大于所述第二通孔。
5.根据权利要求4所述的具有高散热性能的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔的大小为2-400μm，所述第一通孔的间距为6-700μm。
6.根据权利要求1所述的具有高散热性能的半导体器件，其特征在于，所述成核层为GaN薄膜或SiC薄膜。
7.根据权利要求1所述的具有高散热性能的半导体器件，其特征在于，所述器件结构包括由下至上依次层叠的沟道层和势垒层，所述势垒层上形成有源极、栅极、漏极以及覆盖所述势垒层、源极、栅极和漏极的介质层。
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