[实用新型]一种用于激光装置打靶精度测试的测试靶有效
| 申请号: | 201721707170.9 | 申请日: | 2017-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN207456741U | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
| 发明(设计)人: | 张晓璐;代万俊;曾发;李平;赵军普;薛峤;张璐;杨品;王深圳;粟敬钦;郑奎兴;朱启华 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号: | G01M11/00 | 分类号: | G01M11/00 |
| 代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 饶富春 |
| 地址: | 621900 四川省绵*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金箔层 测试 激光装置 精度测试 激光束 膜层 碳氢 本实用新型 靶面 激光惯性约束聚变 测试效率 交错设置 正反两面 层堆叠 对称式 平面靶 靶孔 槽深 层厚 入射 相等 发射 试验 | ||
本实用新型涉及一种用于激光装置打靶精度测试的测试靶,属于激光惯性约束聚变技术领域,所述测试靶包括靶面,所述靶面包括金箔层和碳氢膜层,所述金箔层共设2层,所述碳氢膜层位于2层金箔层之间,且激光装置发射的激光束同时呈对称式入射至金箔层表面,所述金箔层上设有多个第一凹槽和多个第二凹槽,所述第一凹槽和第二凹槽交错设置形成多个交叉点作为靶孔,所述第一凹槽和第二凹槽的槽深与金箔层的层厚相等,本实用新型采用金箔层、碳氢膜层、金箔层逐层堆叠的平面靶结构,各激光束可以同时打在测试靶的正反两面,能够在一次试验中完成甚多束激光束的打靶精度测试,节省打靶精度的测试时间,提高打靶精度的测试效率。
技术领域
本实用新型属于激光惯性约束聚变技术领域,具体地说涉及一种用于激光装置打靶精度测试的测试靶。
背景技术
在惯性约束聚变中,不仅需要将燃料加热到很高的热核反应温度,还需要将高温等离子体在聚变反应时间内约束在一起,而激光驱动惯性约束聚变则是依靠靶丸的向心聚爆压缩来提高燃料的密度进而约束高温等离子体的。所谓向心聚爆,就是多路激光同时对称地照射到球形对称的靶丸表面时,烧蚀层吸收激光能量,在靶丸周围形成等离子体,等离子体向四周飞散的同时产生反作用力,将靶丸球壳向靶心压缩,进而使靶丸燃料的密度和温度增加,最终达到燃烧条件。因此,多路激光的打靶精度在惯性约束聚变试验中起着至关重要的作用,直接关系到ICF物理试验的成败。打靶精度越高,辐射场越均匀,压缩地也越充分,反之亦然。激光装置会对束靶耦合误差RMS值有严格的规定,当光束中心与预先选择的定位点之间的均方根偏差量超过规定数值时就会影响辐射场的均匀性,进而影响实验精度。为了准确评估装置的打靶精度,需要对其进行打靶精度测试,进而修正光束引导的偏差,最终使装置的打靶精度满足指标。
目前,打靶精度测试使用的是八孔靶或九孔靶,每次试验对8束激光进行打靶精度测试。若需要对甚多束激光进行打靶精度测试,则需要进行多次试验,如对48束激光进行测试,需要进行6次试验,而为了提高打靶精度测试的精度,每次试验又需要至少重复三次以上,即使用八孔靶或者九孔靶完成48束激光的打靶精度测试,需要进行18次实验,大大增加打靶精度的测试时间。同时,不同批次的试验会造成测试结果的偏差,这种偏差是由试验本身带来的,主要是表现在制靶的工艺上,无法保证试验条件的完全一致性,即使两次参数一致,但由于试验本身存在的不确定性,也会产生误差。
实用新型内容
发明人经过长期实践发现:减少试验次数是避免试验误差的有效手段,能够有效提高打靶精度测试的精度,针对现有技术的种种不足,发明人对测试靶结构进行改进,提出一种用于激光装置打靶精度测试的测试靶,能够在一次测试中同时完成甚多束激光的打靶精度测试。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种用于激光装置打靶精度测试的测试靶,包括靶面,所述靶面包括金箔层和碳氢膜层,所述金箔层共设2层,所述碳氢膜层位于2层金箔层之间,且激光装置发射的激光束同时呈对称式入射至金箔层表面;
所述金箔层上设有多个第一凹槽和多个第二凹槽,所述第一凹槽和第二凹槽的延伸方向不同,且两者交错设置形成多个交叉点作为靶孔,所述第一凹槽和第二凹槽的槽深与金箔层的层厚相等,相邻2个交叉点的中心距不小于入射至金箔层表面的激光束光斑直径的2倍。
进一步,所述第一凹槽和第二凹槽垂直交错设置,且位于每层金箔层上的交叉点个数不少于入射至该层的激光束束数。
进一步,所述第一凹槽和第二凹槽非垂直交错设置,且位于每层金箔层上的交叉点个数不少于入射至该层的激光束束数。
进一步,所述金箔层厚度不小于30μm,所述碳氢膜层厚度不小于1000μm,所述第一凹槽和第二凹槽的槽宽小于入射至金箔层表面的激光束光斑直径。
进一步,所述激光束共有48束,所述第一凹槽和第二凹槽的个数均为5个,且两者垂直交错设置,位于每层金箔层上的交叉点个数为25个。
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