[实用新型]一种IGBT保护电路

说明书

本实用新型适用于电子电路领域，提供了一种IGBT保护电路，应用于桥式逆变电路，通过检测单元检测桥式逆变电路下桥臂的IGBT集射极电压，并输出至峰值检测单元，该峰值检测单元获取集射极峰值电压并经保护信号生成单元处理输出保护信号。该保护电路可以在峰值电压高于预设值时输出相应的保护信号控制IGBT电路停止工作，有效避免了IGBT工作电流太大引起炸机危险。电路本身结构简单且元器件较少，另外，与现有的短路电流检测电路相比无需任何驱动芯片，节约了成本。解决了现有技术中IGBT的短路检测电路电子元器件较多、电路构成复杂、且过多的电子元器件导致电路可靠性和稳定性降低，同时带来高昂成本的问题。

技术领域

本实用新型属于电子电路领域，尤其涉及一种IGBT保护电路。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)作为一种综合使用性能优良的电子元器件，应用十分广泛。

在现有技术中，为了防止IGBT短路引起元器件本身损坏甚至影响电路功能，往往设置检测电路对IGBT的工作电流进行实时监控。但是，现有的IGBT检测电路构成复杂，花费精力；且元器件众多，致使电路本身的可靠性和稳定性降低，给后期的维护也带来不便；另外，现有的IGBT保护检测电路需要选用相应的带IGBT短路检测保护的驱动芯片，该驱动芯片价格高昂，也不利于产品的成本控制。

实用新型内容

本实用新型提供一种IGBT保护电路，旨在解决现有技术中IGBT的短路检测电路电子元器件较多、电路构成复杂、且过多的电子元器件导致电路可靠性和稳定性降低，同时带来高昂成本的问题。

本实用新型是这样实现的，一种IGBT保护电路，应用于桥式逆变电路，包括：

检测单元，检测所述桥式逆变电路下桥臂的IGBT集射极电压，并将所述集射极电压输出至峰值检测单元；

峰值获取单元，与所述检测单元连接，获取所述集射极电压中的峰值电压并将所述峰值电压输出至保护信号生成单元；

保护信号生成单元，与所述峰值获取单元连接，将所述峰值电压与预设基准电压进行比较，并根据比较结果输出保护信号。

优选地，所述检测单元包括：

与下桥臂IGBT一一对应的IGBT检测回路，每一所述IGBT检测回路均包括从电压源开始依序设置的：

限流模块、反向电流截止模块，及下桥臂IGBT；

所述限流模块与所述反向电流截止模块之间的节点连接所述峰值获取单元。

优选地，所述检测单元还包括：

连接于所述IGBT与所述峰值获取单元之间的延时电路，包括从所述电压源开始依序设置的限流电阻及延时电容。

优选地，所述检测单元还包括：

连接于所述反向电流截止单元与所述峰值获取模块之间的第一滤波回路。

优选地，所述峰值获取单元包括：或门电路；

所述或门电路的输入端连接所述检测单元，输出端连接所述保护信号生成单元。

优选地，所述或门电路包括与所述IGBT检测电路一一对应的支路，每一个所述支路包括一个二极管；

所述二极管的输入端连接所述IGBT检测回路，输出端汇合之后连接至所述保护信号生成单元。

优选地，所述保护信号生成单元包括一比较器，所述比较器的反相输入端连接所述或门电路的输出端，同相输入端接基准电压，输出端输出保护信号；

所述基准电压根据所述下桥臂IGBT工作特性曲线的退饱和点对应的电压值进行设置。