[实用新型]显示器及其像素界定结构有效
| 申请号: | 201721682516.4 | 申请日: | 2017-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN207542247U | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
| 发明(设计)人: | 董婷 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 叶丹丹 |
| 地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素界定层 通孔 像素 界定 开口 显示器 打印 高分辨率显示器件 本实用新型 成膜均匀性 子像素单元 发光区域 相邻像素 依次层叠 墨水 融合 | ||
本实用新型涉及一种显示器及其像素界定结构。该像素界定结构包括依次层叠的第一像素界定层和第二像素界定层;所述第一像素界定层上开设有与各子像素单元的发光区域一一对应的多个第一通孔;所述第二像素界定层上开设有与所述第一通孔一一对应的多个第二通孔;所述第一通孔的靠近所述第二像素界定层的开口的面积小于所述第二通孔的靠近所述第一像素界定层的开口的面积;所述第二通孔的远离所述第一像素界定层的开口的面积小于所述第二通孔的靠近所述第一像素界定层的开口的面积。上述显示器及其像素界定结构,能够增大了像素bank的容积,进而抑制了打印高分辨率显示器件时相邻像素之间的墨水融合,还能有效提高像素内的打印成膜均匀性。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示器及其像素界定结构。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)作为新型第三代平板显示技术,与液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,其具有主动发光、结构简单、视角广、响应速度快、节能、轻薄、可弯曲等特点而得到广泛的研究和应用。
OLED的商业化应用主要是采用蒸镀技术,但蒸镀需要比较昂贵的真空设备,材料利用率低,其生产成本相对较高,从而在市场价格竞争中处于劣势。溶液加工技术,特别是喷墨打印技术具有操作简单、非接触、无掩模、设备成本低、材料利用率高等优点,从而在器件制备上具有强劲的竞争优势,能极大地推动显示向着更薄、更轻、更低成本、柔性、大面积的方向发展,加快OLED 全面产业化的进程。
喷墨打印制备显示器时是通过将功能材料直接喷射进对应的像素区域并干燥沉积。因此,在喷墨打印制备显示器时面临的两个主要挑战是打印像素的高分辨率和功能材料的成膜均匀性。一般的,采用双层bank结构,靠近衬底的疏水亲油的第一像素界定层对应的第一开口大于位于其上的疏水疏油的第二像素界定层对应的第二开口,利用第一像素界定层的疏水亲油来减缓墨水的钉扎,在不产生漏电流的基础上减缓“咖啡环”现象,提高了薄膜的均匀性。但是这种双层bank结构减小了上层疏水疏油的像素界定层的宽度,同时也减小了像素bank 的容积,特别是在打印高分辨率的显示器时,更容易造成相邻像素内墨水的融合,造成串色、膜厚不均匀等问题。
实用新型内容
基于此,有必要针对像素bank的容积小的问题,提供一种显示器及其像素界定结构。
一种像素界定结构,所述像素界定结构包括依次层叠的第一像素界定层和第二像素界定层;所述第一像素界定层上开设有与各子像素单元的发光区域一一对应的多个第一通孔;所述第二像素界定层上开设有与所述第一通孔一一对应的多个第二通孔;所述第一通孔的靠近所述第二像素界定层的开口的面积小于所述第二通孔的靠近所述第一像素界定层的开口的面积;所述第二通孔的远离所述第一像素界定层的开口的面积小于所述第二通孔的靠近所述第一像素界定层的开口的面积。
上述像素界定结构,包括第一像素界定层和第二像素界定层,第一像素界定层上开设有与各子像素单元的发光区域一一对应的多个第一通孔;第二像素界定层上开设有与第一通孔一一对应的第二通孔,第一通孔的靠近第二像素界定层的开口的面积小于第二通孔的靠近第一像素界定层的开口的面积,第二通孔的远离第一像素界定层的开口的面积小于第二通孔的靠近第一像素界定层的开口的面积,从而使得第二像素界定层的上表面宽度增大,同时增大了像素bank 的容积,进而抑制了打印高分辨率显示器件时相邻像素之间的墨水融合;此外,第一通孔的靠近第二像素界定层的开口的面积小于第二通孔的靠近第一像素界定层的开口的面积,从而墨水干燥时在第二通孔的内壁上发生钉扎的难度增大,在一定程度上抑制了“咖啡环”的形成,能有效提高像素内的打印成膜均匀性。
在其中一个实施例中,所述第一通孔的横截面的面积从所述第一像素界定层往所述第二像素界定层的方向上逐渐增大;所述第二通孔的横截面的面积从所述第一像素界定层往所述第二像素界定层的方向上逐渐减少。
采用上述结构,可以有效避免后续形成的阴极不连续造成的断路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





