[实用新型]应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构有效

专利信息
申请号: 201721678019.7 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN208489198U 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: 李良辉;李俊焘;徐星亮;李志强;周坤;张林;代刚 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/16
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 刻蚀 角度倾斜 台面终端结构 本实用新型 高压器件 倾斜台面 刻蚀技术 终端结构 台面 碳化硅 场强 底角 光刻胶回流 多次使用 方案工艺 器件边缘 效果理论 光刻胶 斜坡 厚光 掩膜 应用 近似 终端
【权利要求书】:

1.应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构,其特征在于:所述小角度倾斜台面终端结构的倾斜台面为上小下大的锥状台面结构,台面结构的面积大于1mm2;所述倾斜台面的斜面与水平面之间的夹角小于20°。

2.如权利要求1所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构,其特征在于:应用于SiC GTO器件的刻蚀终端结构设计中的所述小角度倾斜台面终端结构的具体结构采用由上至下的P+/N/P-/P/N+外延结构,其中依次为:P+接触层(106)、N base层(105)、P-漂移层(104)、P缓冲层(103)、N+场截止层(102),衬底为N+的4H-SiC本征衬底(101);所述P+接触层(106)的厚度介于0.2-5μm之间,平均掺杂浓度介于2×1018-1×1020cm-3之间;所述N base层(105)的厚度介于0.2-5μm之间,平均掺杂浓度介于5×1016-1×1018cm-3之间;所述P-漂移层(104)的厚度介于5-200μm之间,平均掺杂浓度介于5×1013-1×1015cm-3之间;所述P缓冲层(103)的厚度介于0.2-5μm之间,平均掺杂浓度介于5×1016-1×1018cm-3之间;所述N+场截止层(102)的厚度介于0.2-5μm之间,平均掺杂浓度介于1×1018-1×1020cm-3之间。

3.如权利要求1所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构,其特征在于:应用于SiC PiN器件的刻蚀终端结构设计中的所述小角度倾斜台面终端结构的具体结构采用由上至下的P+/i/N+外延结构,其中依次为:P+接触层、本征i漂移层、N+场截止层,衬底为N+的4H-SiC本征衬底;所述P+接触层的厚度介于0.2-5μm之间,平均掺杂浓度介于2×1018-1×1020cm-3之间;所述本征i漂移层的厚度介于5-200μm之间,平均掺杂浓度介于5×1013-1×1015cm-3之间;所述N+场截止层的厚度介于0.2-5μm之间,平均掺杂浓度介于1×1018-1×1020cm-3之间。

4.如权利要求1所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构,其特征在于:应用于SiC PiN器件的刻蚀终端结构设计中的所述小角度倾斜台面终端结构的具体结构采用由上至下的N+/i/P+外延结构,其中依次为:N+接触层、本征i漂移层、P+场截止层,衬底为N+的4H-SiC本征衬底;所述N+接触层的厚度介于0.2-5μm之间,平均掺杂浓度介于2×1018-1×1020cm-3之间;所述本征i漂移层的厚度介于5-200μm之间,平均掺杂浓度介于5×1013-1×1015cm-3之间;所述P+场截止层的厚度介于0.2-5μm之间,平均掺杂浓度介于1×1018-1×1020cm-3之间。

5.如权利要求1所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构,其特征在于:所述小角度倾斜台面终端结构可应用于SBD、MOSFET、IGBT及JFET的SiC器件台面终端结构设计。

6.如权利要求1-5任意一项所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构,其特征在于:利用光刻胶回流技术制成的面积大于1mm2且倾斜台面的斜面与水平面之间的夹角小于20°的SiC单一倾斜台面刻蚀结构,或者通过多次使用光刻胶回流刻蚀技术形成的n级SiC小角度倾斜台面刻蚀结构,其中n≥2。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院电子工程研究所,未经中国工程物理研究院电子工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721678019.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top