[实用新型]应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构

权利要求书

1.应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构，其特征在于：所述小角度倾斜台面终端结构的倾斜台面为上小下大的锥状台面结构，台面结构的面积大于1mm²；所述倾斜台面的斜面与水平面之间的夹角小于20°。

2.如权利要求1所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构，其特征在于：应用于SiC GTO器件的刻蚀终端结构设计中的所述小角度倾斜台面终端结构的具体结构采用由上至下的P+/N/P-/P/N+外延结构，其中依次为：P+接触层（106）、N base层（105）、P-漂移层（104）、P缓冲层（103）、N+场截止层（102），衬底为N+的4H-SiC本征衬底（101）；所述P+接触层（106）的厚度介于0.2-5μm之间，平均掺杂浓度介于2×10¹⁸-1×10²⁰cm^-3之间；所述N base层（105）的厚度介于0.2-5μm之间，平均掺杂浓度介于5×10¹⁶-1×10¹⁸cm^-3之间；所述P-漂移层（104）的厚度介于5-200μm之间，平均掺杂浓度介于5×10¹³-1×10¹⁵cm^-3之间；所述P缓冲层（103）的厚度介于0.2-5μm之间，平均掺杂浓度介于5×10¹⁶-1×10¹⁸cm^-3之间；所述N+场截止层（102）的厚度介于0.2-5μm之间，平均掺杂浓度介于1×10¹⁸-1×10²⁰cm^-3之间。

3.如权利要求1所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构，其特征在于：应用于SiC PiN器件的刻蚀终端结构设计中的所述小角度倾斜台面终端结构的具体结构采用由上至下的P+/i/N+外延结构，其中依次为：P+接触层、本征i漂移层、N+场截止层，衬底为N+的4H-SiC本征衬底；所述P+接触层的厚度介于0.2-5μm之间，平均掺杂浓度介于2×10¹⁸-1×10²⁰cm^-3之间；所述本征i漂移层的厚度介于5-200μm之间，平均掺杂浓度介于5×10¹³-1×10¹⁵cm^-3之间；所述N+场截止层的厚度介于0.2-5μm之间，平均掺杂浓度介于1×10¹⁸-1×10²⁰cm^-3之间。

4.如权利要求1所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构，其特征在于：应用于SiC PiN器件的刻蚀终端结构设计中的所述小角度倾斜台面终端结构的具体结构采用由上至下的N+/i/P+外延结构，其中依次为：N+接触层、本征i漂移层、P+场截止层，衬底为N+的4H-SiC本征衬底；所述N+接触层的厚度介于0.2-5μm之间，平均掺杂浓度介于2×10¹⁸-1×10²⁰cm^-3之间；所述本征i漂移层的厚度介于5-200μm之间，平均掺杂浓度介于5×10¹³-1×10¹⁵cm^-3之间；所述P+场截止层的厚度介于0.2-5μm之间，平均掺杂浓度介于1×10¹⁸-1×10²⁰cm^-3之间。

5.如权利要求1所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构，其特征在于：所述小角度倾斜台面终端结构可应用于SBD、MOSFET、IGBT及JFET的SiC器件台面终端结构设计。

6.如权利要求1-5任意一项所述的应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构，其特征在于：利用光刻胶回流技术制成的面积大于1mm²且倾斜台面的斜面与水平面之间的夹角小于20°的SiC单一倾斜台面刻蚀结构，或者通过多次使用光刻胶回流刻蚀技术形成的n级SiC小角度倾斜台面刻蚀结构，其中n≥2。