[实用新型]硅片标识读写系统以及硅片有效
申请号: | 201721677694.8 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN207489824U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 王旭东;郭政;范慧斌;岳晨辉 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L23/544;H01L31/18 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;张春雨 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 二进制编码 本实用新型 图像采集器 读写系统 编码器 电连接 毫米级 切割 解码器 读取 太阳能电池 标识产生 硅片边缘 身份标识 生产进程 有效控制 边缘处 切割器 产能 镀膜 解读 良率 生产成本 电池 图像 印刷 追踪 发现 | ||
本实用新型公开了一种硅片标识读写系统以及硅片,其中系统包括:编码器,用于编写硅片的二进制编码标识;与所述编码器电连接的毫米级切割器,用于在硅片的边缘处切割出所述二进制编码标识;图像采集器,用于获取所述二进制编码标识的图像;与所述图像采集器电连接的解码器,用于解读所述二进制编码标识。本实用新型实现了在硅片边缘形成唯一且不会磨灭的身份标识,并且毫米级切割的二进制编码标识更易于读取,并且镀膜、印刷等工艺也不会对该标识产生干扰,从而能够实现对每一片太阳能电池的硅片在生产进程中的准确追踪,以便及时发现异常情况,提高电池的良率和产能,有效控制生产成本。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产领域,尤其涉及一种硅片标识读写系统以及硅片。
背景技术
太阳能电池生产中硅片的碎片率是影响产线产能和生产成本的重要因素之一,如果无法对每一片硅片进行准确追踪,会导致无法及时准确地确定碎片发生的位置或者工艺异常的作业设备。尤其在高效异质节太阳能电池生产过程中,由于硅片较为易碎,因而控制硅片的碎片率成为降低电池生产成本,提高产能的一个重要途径。
但是由于硅片的上下表面都需要进行镀膜和印刷等工艺,无法在硅片表面进行身份标识;再者硅片的侧面较薄,无法写下复杂的传统字符,因此,业内一般采用虚拟编号或在硅片上划出不同宽度的线的方式进行身份标识并依次作为追踪依据,然而一旦发生碎片或者硅片分流的工况,虚拟编号就会失去作用;而划线方式则很容易受到电池片生产过程中如镀膜、印刷等工艺的干扰,而且读取便捷性较差,从而导致硅片追踪成功率大大降低。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种硅片标识读写系统以及由该系统标识的硅片,以解决上述问题。
本实用新型采用的技术方案如下:
一种硅片标识读写系统,包括:
编码器,用于编写硅片的二进制编码标识;
与所述编码器电连接的毫米级切割器,用于在硅片的边缘处切割出所述二进制编码标识;
图像采集器,用于获取所述二进制编码标识的图像;
与所述图像采集器电连接的解码器,用于解读所述二进制编码标识。
优选地,所述毫米级切割器为激光切割装置。
优选地,所述毫米级切割器为机械刀具。
优选地,所述毫米级切割器与所述编码器集为一体。
优选地,所述图像采集器与所述解码器集为一体。
优选地,还包括机器视觉装置,所述图像采集器与所述解码器集成在所述机器视觉装置内。
一种硅片,在所述硅片的边缘处具有由上述硅片标识读写系统所切割的锯齿状结构,所述锯齿状结构用于表示二进制编码标识。
优选地,所述锯齿状结构包括被切除的方形缺口部以及未被切除的方形凸起部;
一个所述方形缺口部表示二进制编码中的0,一个所述方形凸起部表示二进制编码中的1。
优选地,所述锯齿状结构的起始处依次为两个连续的所述方形缺口部以及两个连续的所述方形凸起部。
优选地,每个所述方形缺口部和每个所述方形凸起部的宽度均为1mm,每个所述方形缺口部的深度为0.5mm。
本实用新型利用一种在硅片边缘进行毫米级切割来表示硅片的二进制编码标识信息以及对标识解码得到硅片身份的读写系统,实现了在硅片边缘形成唯一且不会磨灭的身份标识,并且毫米级切割的二进制编码标识更易于读取,并且镀膜、印刷等工艺也不会对该标识产生干扰,从而能够实现对每一片太阳能电池的硅片在生产进程中的准确追踪,以便及时发现异常情况,提高电池的良率和产能,有效控制生产成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造