[实用新型]一种夹取激光二极管测试的真空夹具

说明书

本实用新型涉及一种夹取激光二极管测试的真空夹具，属于半导体激光器技术领域，包括相连的夹头和夹臂，夹头为两端开口的中空圆柱体，夹头包括内壁和外壁，夹头的水平投影为圆环，夹头顶端一侧与夹臂一侧相连，夹臂中空，夹头底端端面开口，夹头顶端端面封闭，夹臂另一侧设有按钮，按钮用于控制夹臂和夹头内部的真空状态，本夹具可以满足激光二极管的不戴管帽进行测试，有利于节约成本，增加产品的竞争力。

技术领域

本实用新型涉及一种夹取激光二极管测试的真空夹具，属于半导体激光器技术领域。

背景技术

20世纪80年代中期以来，半导体制造技术的发展以及与激光技术的结合，催生了半导体激光二极管，这类兼具半导体和激光器特性的激光源，具有更高的峰值功率和较低的能耗，且它的发射脉宽也较窄，本身不需要温度和光学补偿，比传统的发射光源具有明显的优势，并成为中紫外波段AlGaN发展的重点方向。因为该波段紫外辐射的激发效率最高，其输出效率也比较高。而激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照PN结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品。同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小(一般小于2mW)，线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能模拟信号。在双向光接收机的回传模块中，上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。

半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子，其公式如下：

λ＝hc/Eg (1)

式中：h—普朗克常数；c—光速；Eg—半导体的禁带宽度。

上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子—空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，则会形成和热平衡状态相反的载流子分布，即粒子数反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下，少量自发辐射产生的光子由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射，造成选频谐振正反馈，或者说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时，就可从PN结发出具有良好谱线的相干光——激光，这就是激光二极管的简单原理。

前瞻产业研究院报告数据显示，全球半导体激光市场有望在2020年前超过76.9亿美元，高功率二极管激光器在半导体激光器市场中将获得最快的增长，在预测周期内的年度复合增长率有望达到8.6％。在如此的大背景下，目前激光二极管的制备流程是在封帽后进行老化，测试这种封帽工序需要大量人力、物力，同时使用激光器的客户大多是再次掰帽使用，这就要求激光器的成品尽量可以不戴管帽发货，同时，现有的激光器在进行测试时，需要利用夹具取出激光器并拿开夹具后才可进行测试，工艺效率低。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供一种夹取激光二极管测试的真空夹具，本实用新型是将管帽去除，将激光二极管直接进行老化，测试。

本实用新型的技术方案如下：

一种夹取激光二极管测试的真空夹具，包括相连的夹头和夹臂，夹头为两端开口的中空圆柱体，夹头包括内壁和外壁，夹头的水平投影为圆环，夹头顶端一侧与夹臂一侧相连，夹臂中空，夹头底端端面开口，夹头顶端端面封闭，夹臂另一侧设有按钮，按钮用于控制夹臂和夹头内部的真空状态。