[实用新型]一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路有效

专利信息
申请号: 201721672467.6 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN207625441U 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 路侃;吴方;朱学政 申请(专利权)人: 合肥华耀电子工业有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02M1/32
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 丁瑞瑞
地址: 230031 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 电阻 二极管 电容 浪涌 本实用新型 软启动电路 欠压 作用实现 电源 大功率开关器件 功耗降低 体积减少 软启动 输入端 保证
【权利要求书】:

1.一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路,其特征在于,包括:输入端Vin、第一二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一MOS管M1、第四电阻R4、第一电容C1、第二二极管D2、第二电容C2、第五电阻R5、第二MOS管M2、第八电阻R8、电源;所述输入端Vin的一端与所述第一电阻R1的一端、所述第一二极管D1的正极和所述电源的一端进行连接;所述输入端Vin的另一端与所述第三电阻R3的一端、所述第一MOS管M1的源极、所述第一电容C1的一端、所述第二电容C2的负极、所述第二MOS管M2的源极进行连接;所述第一电阻R1的另一端与所述第三电阻R3的另一端、所述第一MOS管M1的栅极进行连接;所述第一二极管D1的负极与所述第二电阻R2的一端相连;所述第二电阻R2的另一端与所述第一MOS管M1的漏极、所述第一电容C1的另一端、所述第二二极管D2的正极、所述第二MOS管M2的栅极进行连接;所述第二二极管D2的负极与所述第二电容C2的正极相连;所述第四电阻R4并联到所述第一MOS管M1的漏极和源极两端;所述第五电阻R5并联到所述第二电容C2的两端;所述第八电阻R8并联到所述第二MOS管M2的源极和漏极两端,并与所述第二电容C2的负极相连;所述第二MOS管M2的漏极与所述电源的另一端相连。

2.根据权利要求1所述的一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路,其特征在于,所述第一电阻R1、所述第三电阻R3和所述第一MOS管M1组成抗过压浪涌电路。

3.根据权利要求1所述的一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路,其特征在于,所述第一电阻R1端串联分压器件D4,所述第三电阻R3并联分压器件D5,所述第一MOS管M1漏极和源极的两端并联分压器件D6。

4.根据权利要求3所述的一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路,其特征在于,所述分压器件是电阻或者稳压二极管。

5.根据权利要求1所述的一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路,其特征在于,还包括:第三二极管D3、第三MOS管M3、第六电阻R6、第七电阻R7;所述第八电阻R8与第三MOS管M3的漏极和所述电源相连;所述第三二极管D3的正极与所述第二电阻R2、所述第四电阻R4相连,所述第三二极管D3的负极和所述第三MOS管M3的栅极、所述第一MOS管M1的漏极、所述第六电阻R6的一端相连,所述第三MOS管M3的源极与所述第一MOS管M1的源极和所述输入端Vin的另一输入端相连,所述第三MOS管M3的栅极与所述第六电阻R6的一端相连,所述第六电阻R6另一端与电源的一端相连,所述第七电阻R7并联到所述第三MOS管M3的栅极和漏极两端。

6.根据权利要求5所述的一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路,其特征在于,所述第三二极管D3、所述第六电阻R6、所述第七电阻R7和所述第三MOS管M3用于保护电源,保证电源不会因过压造成损坏。

7.根据权利要求1所述的一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路,其特征在于,所述第一二极管D1、所述第二电阻R2和所述电容C1组成抗欠压浪涌电路。

8.根据权利要求1所述的一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路,其特征在于,所述电源两端并联第三电容C3。

9.根据权利要求5所述的一种抗过压、欠压浪涌的软启动电路,其特征在于,所述第一MOS管M1和所述第三MOS管M3所选用的是低功耗的MOS管,所述第二MOS管M2选用的是大功率器件。

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