[实用新型]一种沟槽栅超势垒整流器有效
| 申请号： | 201721665287.5 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN207925475U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;钟子期 | 申请（专利权）人： | 贵州恒芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550000 贵州省贵阳市国家高新技术产*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超势垒 整流器 沟槽栅 本实用新型 半导体功率器件 沟槽栅结构 平面栅结构 常规离子 沟道电阻 硅片表面 引线键合 栅氧化层 沟道区 良率 元胞 损伤 替代 改进 | ||
1.一种沟槽栅超势垒整流器，其特征在于，包括：
N+衬底；
N-漂移区，位于所述N+衬底上面；
栅沟槽，位于N-漂移区中；
栅氧化层，位于栅沟槽的内表面；
栅多晶层，位于栅沟槽中；
pbody，位于相邻的栅沟槽之间；
P+区，位于pbody中，接触孔正下方；
N+区，位于硅片上表面，栅沟槽与接触孔之间；
接触孔；
阳极金属层，位于芯片上表面；
阴极金属层，位于芯片下表面。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽栅超势垒整流器，其特征在于，pbody和N+区的结深差为0.1～0.3μm。
3.根据权利要求1所述的一种沟槽栅超势垒整流器，其特征在于，N+区、P+区、pbody和栅多晶由阳极金属层短接。
4.一种沟槽栅超势垒整流器，其特征在于，包括：
P+衬底；
P-漂移区，位于所述P+衬底上面；
栅沟槽，位于P-漂移区中；
栅氧化层，位于栅沟槽的内表面；
栅多晶层，位于栅沟槽中；
nbody，位于相邻的栅沟槽之间；
N+区，位于nbody中，接触孔正下方；
P+区，位于硅片上表面，栅沟槽与接触孔之间；
接触孔；
阳极金属层，位于芯片上表面；
阴极金属层，位于芯片下表面。
5.根据权利要求4所述的一种沟槽栅超势垒整流器，其特征在于，nbody和P+区的结深差为0.1～0.3μm。
6.根据权利要求4所述的一种沟槽栅超势垒整流器，其特征在于，P+区、N+区、nbody和栅多晶由阳极金属层短接。
7.根据权利要求1或4所述的一种沟槽栅超势垒整流器，其特征在于，栅氧化层的厚度为50～150埃。
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