[实用新型]基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器有效
| 申请号： | 201721660544.6 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN207457476U | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 英宇;许可 | 申请（专利权）人： | 沈阳建筑大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 崔兰莳 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光子晶体光纤 纳米金 纳米光栅 磁场传感器 磁流体 磁场 磁流体薄膜 光栅 共振波长 吸收峰 共振 表面等离子共振 光纤磁场传感器 刻写 本实用新型 折射率特性 表面自由 偏移过程 平滑表面 线性关系 轴向延伸 耦合 线性度 折射率 倏逝波 偏移 传感 制备 观测 测量 覆盖 分析 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器，其特征在于：由D型光子晶体光纤、纳米金层、纳米光栅和磁流体薄膜组成，所述纳米金层耦合在所述D型光子晶体光纤的轴向延伸的平滑表面，所述纳米光栅刻写在所述纳米金层上，所述磁流体薄膜覆盖在所述纳米光栅上。
2.根据权利要求1所述的基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器，其特征在于：所述磁流体薄膜是由体积分数为1.5％的磁流体填充到玻璃槽中组成。
3.根据权利要求1所述的基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器，其特征在于：所述磁流体薄膜的厚度范围为6～300μm。
4.根据权利要求1所述的基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器，其特征在于：所述D型光子晶体光纤的直径D＝125μm，气孔直径d＝8μm，气孔中心间距Λ＝10μm，所述D型光子晶体光纤的轴向延伸的平滑表面到其纤芯的距离hd＝13μm；所述纳米金层的厚度Hg＝50nm；所述纳米光栅的光栅周期Λg＝536nm，光栅厚度hg＝25nm，光栅宽度Wg＝100nm。
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