[实用新型]一种IGBT并联驱动电压分离电路有效
申请号: | 201721647171.9 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN207475399U | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 高化伟;颜龙 | 申请(专利权)人: | 曲阜嘉信电气有限公司 |
主分类号: | H02M1/092 | 分类号: | H02M1/092;H02M1/32 |
代理公司: | 济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254 | 代理人: | 葛东升 |
地址: | 273100 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动电压 放大单元 隔离驱动 信号单元 分离电路单元 分离电路 并联 预设 放大 本实用新型 晶体三极管 电流均衡 控制信号 设备运行 时间差异 一致性好 栅极电阻 驱动力 两级 电路 驱动 | ||
本实用新型公开了一种IGBT并联驱动电压分离电路,该电路包含隔离驱动信号单元、放大单元和IGBT驱动电压分离电路单元;隔离驱动信号单元与放大单元相连将控制信号进行两级晶体三极管两次放大,放大单元与IGBT驱动电压分离电路单元相连将放大后的驱动电压引至带有栅极电阻的预设数量的并联的IGBT;通过隔离驱动信号单元与放大单元增大驱动力,同时驱动预设数量的并联的IGBT,达到每只IGBT开关时间差异小,打开一致性好,电流均衡度好,使设备运行可靠。
技术领域
本实用新型涉及一种IGBT驱动技术领域,尤其涉及一种IGBT并联驱动电压分离电路。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是MOSFET管和双极晶体管的复合器件,它既具有MOSFE管易驱动的特点,又具有功率晶体管高电压和电流大等优点。IGBT可发挥出MOSFET管和功率晶体管各自的优点,广泛地应用于变频器、交流电机、开关电源等领域。
IGBT由于晶圆芯片的限制,单只IGBT输出电流能力是有限制的,对于大功率变频器等工业设备而言,经常会需要大电流输出,因此IGBT在使用时会进行并联使用以增大输出电流能力。IGBT作为高速开关器件,一般开关频率在几十KHz左右,在并联时对并联的IGBT打开的一致性、每只IGBT电流的均衡度均提出较高的要求。另外,IGBT内部包含双极晶体管,其打开、关断需要一定的电压及电流,即对驱动电路的功率有一定要求。
目前,专利号为CN201621487273的实用新型专利公开了一种“并联IGBT专用驱动模块”,披露了一种利用数控隔离电源输出相应幅值电压至驱动与放大单元,驱动单元接收信号生成脉冲控制信号经放大后至IGBT以控制IGBT的开通时间和开通速度的技术方案,达到并联IGBT均流结果。
但是,该技术方案存在以下问题和缺点: IGBT并联使用时,每只IGBT有各自的驱动电路;驱动信号从控制部分发出后,首先进行分离,然后分别提供给各自IGBT的驱动电路,各自IGBT驱动电路对驱动信号进行隔离、放大,驱动IGBT的打开及关断。对于此种控制方式而言,驱动信号单独进行放大,由于受器件差异的影响,驱动信号进行隔离放大后,到单只IGBT上时,差异往往会较大,造成IGBT打开的一致性不好,此时一般做法是增大IGBT的余量,增加了成本。并且IGBT开关时间差异到一定程度时,往往会带来一定的风险,造成器件损坏,使得设备运行可靠性变差。
发明内容
为解决上述问题,克服现有技术的不足,本实用新型提供了一种成本低,方法简单,驱动至单只IGBT上的信号一致性好、差异小且可靠性高特别是针对大功率的IGBT并联驱动电压分离电路。
为实现上述目的,本实用新型提供的IGBT并联驱动电压分离电路包括驱动一只IGBT的隔离驱动信号单元、具有二次放大电路的放大单元和具有防止米勒效应的IGBT驱动电压分离电路单元,其特征在于,所述隔离驱动信号单元包括具有抗干扰作用的滤波电容C1与具有隔离放大作用的光耦PC1,滤波电容C1与光耦PC1并联;隔离驱动信号单元与放大单元相连;放大单元包括驱动电阻R1、R2和晶体三极管NQ1、PQ1、NQ2、PQ2,驱动电阻R1与并联的晶体三极管NQ1、PQ1串联构成一次放大电路结构,驱动电阻R2与并联的晶体三极管NQ2、PQ2串联构成二次放大电路结构;放大单元与IGBT驱动电压分离电路单元相连;IGBT驱动电压分离电路单元包括预设数量的阻值参数相同的对驱动电压进行分离的栅极电阻R和预设数量的IGBT,具有保护作用的预设数量的钳位二极管Z和泄放电阻R,以及预设数量的具有续流作用的二极管D, 栅极电阻R与IGBT串联,钳位二极管Z、泄放电阻R及二极管D与IGBT并联。
所述隔离驱动信号单元采用具有隔离、放大功能的IGBT专用驱动芯片。
所述放大单元采用两级放大电路。
所述隔离驱动信号单元与放大单元配置有驱动电压能力的检测电路及IGBT故障检测电路。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置