[实用新型]一种EPE绝缘胶膜裁切装置有效
申请号: | 201721646415.1 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN207503998U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 柯于乾;陈钢 | 申请(专利权)人: | 中硅索纳(厦门)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/048 |
代理公司: | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 郭福利;魏思凡 |
地址: | 361100 福建省厦门市厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 裁切上模 绝缘胶膜 升降驱动器 裁切下模 裁切装置 驱动单元 裁切 脚动 本实用新型 脚踩控制器 固定设置 上下移动 压紧单元 裁切刀 放置台 限位块 工作台 切刀 底座 驱动 | ||
本实用新型公开了一种EPE绝缘胶膜裁切装置。包括工作台、脚动驱动单元、裁切上模以及裁切下模。所述裁切下模设置于所述工作台上,所述裁切上模设置于所述裁切上模的正上方,所述脚动驱动单元包括脚踩控制器以及升降驱动器,所述升降驱动器用于驱动所述裁切上模上下移动。所述裁切上模包括顶板,以及固定设置于所述顶板底部的切刀块和压紧单元。所述裁切下模包括底座、绝缘胶膜放置台以及第一宽度限位块。利用升降驱动器,避免使用人力,减轻劳动者负担。精确控制裁切刀对EPE绝缘胶膜的裁切范围,在提高裁切精度,避免手工误差,降低废品率。
技术领域
本实用新型涉及一种裁切装置,尤其涉及一种EPE绝缘胶膜裁切装置。
背景技术
在晶硅电池的生产中,EPE绝缘胶膜用于其组件内的分隔、绝缘和定位作用。EPE绝缘胶膜对EVA封装胶具有出色的粘结例,具有可靠的电气绝缘性能、和出色的尺寸稳定性。
在使用之前,需要对EPE绝缘胶膜长度方向上的中部裁切出2个切口,2个切口的深度占EPE绝缘胶膜宽度的1/3~2/3,根据不同的规格,2个切口之间的深度不同,同时根据不同的规格2个切口之间的距离也不同,并且,根据不同的规格EPE绝缘胶膜的长度也不同。在生产中,依旧采用手动校正,调整宽度、测量切口深度的方法进行裁切,这样的裁切人工需求大,并且精度低,废品率大。因此需要一款能够自动校正、方便使用的EPE绝缘胶膜裁切装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中裁切人工需求大,并且精度低,废品率大的缺点,提供一种EPE绝缘胶膜裁切装置。
为解决上述技术问题,本实用新型采用了以下技术措施:
一种EPE绝缘胶膜裁切装置,包括工作台、脚动驱动单元、裁切上模以及裁切下模;所述裁切下模设置于所述工作台上,所述裁切上模设置于所述裁切上模的正上方,所述脚动驱动单元包括脚踩控制器以及升降驱动器,所述升降驱动器用于驱动所述裁切上模上下移动。
所述裁切上模包括顶板,以及固定设置于所述顶板底部的切刀块和压紧单元;所述压紧单元包括弹性柱、压紧板;所述压紧板通过所述弹性柱与所述顶板连接,且与所述顶板平行;所述压紧板呈凹字形,所述凹字形的缺口部分与所述切刀块相适配;且所述切刀块底部设置有裁切刀,所述压紧板的底面水平高度低于所述裁切刀的刀锋水平高度。
所述裁切下模包括底座、绝缘胶膜放置台以及第一宽度限位块,所述绝缘胶膜放置台设置于所述底座上,所述第一宽度限位块设置于所述绝缘胶膜放置台上,所述绝缘胶膜放置台对应所述裁切刀位置设置有防触碰凹槽。
本实用新型还可以通过以下技术措施进一步完善:
作为进一步改进,还包括长度校准单元,所述长度校准单元包括胶膜放置板以及长度限位块,所述胶膜放置板分别设置于所述绝缘胶膜放置台两侧,所述长度限位块设置于所述胶膜放置板的第一端,所述胶膜放置板的第一端为远离所述绝缘胶膜放置台的一端。
作为进一步改进,还包括第二宽度限位块,所述第二宽度限位块与所述胶膜放置板固定连接,且所述第二宽度限位块沿所述胶膜放置板的长度方向凸起设置,所述第二宽度限位块的限位侧面与所述第一宽度限位块的限位侧面位于同一直线上。
作为进一步改进,所述胶膜放置板为可伸缩板。
作为进一步改进,所述切刀块包括块本体和刀片固定销;所述块本体的底部设有刀片槽,所述块本体的侧壁上设有与所述刀片槽相连通的固定孔,所述刀片槽用于放置所述裁切刀,所述固定孔与刀片固定销相适配。
作为进一步改进,所述块本体的底部设有多个刀片槽,多个所述刀片槽包括左侧刀片槽和右侧刀片槽,所述左侧刀片槽和所述右侧刀片槽对称设置。
作为进一步改进,所述左侧刀片槽和所述右侧刀片槽均具有多个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的