[实用新型]一种太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种太阳能电池，通过在透明导电层上的氢化非晶氧化硅层，改善传统单层透明导电层结构，使得具有较好的宽带减反射效果，可以有效增加光学透过性能，提高薄膜的光电性能；而氢化非晶氧化硅层中的氢原子在后续退火工艺中渗透进透明导电层，从而提高薄膜电导率，增加电池的短路电流，使得最终电池的转换效率得以提高。

技术领域

本实用新型涉及光伏电池加工领域，尤其涉及一种太阳能电池。

背景技术

HIT(Hetero-junction with Intrinsic Thin layer)异质结非晶硅/晶硅太阳能电池由于其高效的转换效率，高稳定性，低温度系数，双面发电等优点得到越来越多的关注，有望成为未来主流光伏技术之一。透明导电氧化物ITO(氧化铟锡)由于其在可见光波段的高透过性及其高电导率，被广泛用于HIT电池中起到收集电流和减少反射光的作用。然而透明导电氧化物的光学性能和电学性能是一对矛盾体。电导率的提高往往是载流子浓度的提高，而载流子浓度过高会影响光学透过性，这是因为过高的载流子浓度在红外波段引起的光吸收所造成的。

因此，如何保证较高电导率的同时，也能保证较高光学透过性，是亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种太阳能电池，以解决现有技术中的问题，保证较高电导率的同时，也能保证较高光学透过性。

本实用新型提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括依次设置在单晶体硅一侧表面的非晶硅层、透明导电层，所述太阳能电池还包括设置在透明导电层上的氢化非晶氧化硅层、镶嵌在所述氢化非晶氧化硅层中的栅线电极，且所述栅线电极与所述透明导电层接触。

作为优选，所述透明导电层厚度为60-100nm，且所述氢化非晶氧化硅层的厚度为100-130nm。

作为优选，所述透明导电层厚度为120-180nm，且所述氢化非晶氧化硅层的厚度为100-130nm。

作为优选，所述非晶硅层包括依次设置的本征非晶硅层与n型非晶硅层，且所述本征非晶硅层设置在所述单晶体硅一侧表面。

作为优选，所述太阳能电池还包括依次设置在单晶体硅另一侧表面的本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层、氢化非晶氧化硅层。

作为优选，所述透明导电层为ITO薄膜层。

作为优选，所述透明导电层的折射率为2.0，所述氢化非晶氧化硅层的折射率为1.4。

作为优选，所述栅线电极的方块电阻为10～50Ω，厚度为50～80nm。

本实用新型提供的太阳能电池，通过在透明导电层上的氢化非晶氧化硅层，改善传统单层透明导电层结构，使得具有较好的宽带减反射效果，可以有效增加光学透过性能，提高薄膜的光电性能；而氢化非晶氧化硅层中的氢原子在后续退火工艺中渗透进透明导电层，从而提高薄膜电导率，增加电池的短路电流，使得最终电池的转换效率得以提高。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的太阳能电池的结构示意图。

附图标记说明：

1-单晶体硅，2-本征非晶硅层，3-n型非晶硅层，4-透明导电层，

5-氢化非晶氧化硅层，6-p型非晶硅层，7-栅线电极。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。