[实用新型]一种ALD新型反应室有效
| 申请号： | 201721578289.0 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN207958499U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张洪国;夏玉明;夏树胜;王超;张凯;马军涛 | 申请（专利权）人： | 滁州国凯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 袁敏 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州市世*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 加热基板 反应室 分气板 进气孔 前驱体 前驱体气体 沉积效率 腔体内部 装置表面 多孔洞 反应腔 均匀度 均匀性 上腔体 室内部 下腔体 气压 薄膜 生长 引入 | ||
【权利要求书】：
1.一种ALD新型反应室，其特征在于，包括下腔体(1)、加热基板装置(2)、进气孔(3)、上腔体(4)、分气板(5)；
所述的加热基板装置(2)位于下腔体(1)的中心，其形状与分气板(5)的形状保持一致；
所述的进气孔(3)含有两个或者两个以上，其中至少有一个进气孔是用于高纯氮气的输送，其他进气孔用于前驱体蒸汽的输送；
所述的上腔体(4)由气体储存空间(6)和外壳(7)组成；
所述的分气板(5)与上腔体(4)的外壳(7)之间是通过螺钉连接固定的；
所述的分气板(5)包括边缘部位(8)、孔洞(9)和螺栓孔(10)；
所述孔洞(9)有效面积是1-10mm2,开孔率为30-70％，并分布在板的中间部位。
2.根据权利要求1所述的ALD新型反应室，其特征在于所述孔洞(9)可为任一种形状或几种形状的组合。
3.根据权利要求2所述的ALD新型反应室，其特征在于，所述的孔洞的形状为圆形、方形或者两种的组合。
4.根据权利要求1所述的ALD新型反应室，其特征在于，所述的ALD反应室是垂直流动式反应室，前驱体蒸汽从反应室顶部上腔体(4)向下喷射。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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