[实用新型]一种用于化学气相沉积的晶片托架有效
| 申请号： | 201721574876.2 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN207619525U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 黄文嘉;彭伟伦;陈奉顺;洪伟;张中英;李明照;张瑞龙 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 晶片托架 化学气相沉积 晶片 环形凹槽 变型 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于化学气相沉积的晶片托架，晶片托架底部具有环形凹槽。
2.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的晶片托架，其特征在于：环形凹槽的外径直径为19~30mm。
3.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的晶片托架，其特征在于：环形凹槽的内径小于凹槽的外径，环形凹槽的内径直径为14~25mm。
4.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的晶片托架，其特征在于：晶片托盘底面为平坦表面，环形凹槽的深度为10~11.5mm。
5.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的晶片托架，其特征在于：环形凹槽的槽内表面或环形凸起具有圆角，圆角的半径为0.1~0.5mm。
6.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的晶片托架，其特征在于：环形凹槽的槽内表面为粗化表面。
7.根据权利要求6所述的一种用于化学气相沉积的晶片托架，其特征在于：粗化表面的粗化度为1~20μm。
8.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的晶片托架，其特征在于：晶片托架为石墨盘、钼盘或者碳化硅盘。
9.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的晶片托架，其特征在于：环形凹槽的深度为5~8mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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