[实用新型]存储器系统和电子系统有效

专利信息
申请号: 201721569396.7 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN207882889U 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: O·兰简;R·格梅利;D·达泰 申请(专利权)人: 意法半导体国际有限公司;意法半导体股份有限公司;意法半导体(格勒诺布尔2)公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 应用数据 第二存储器 存储器 存储器读取 存储器系统 电子系统 逐位比较 读取 应用数据存储 响应 纠错码 校验位 存储 关联 输出 检测 纠正 失败
【权利要求书】:

1.一种存储器系统,其特征在于,包括:

第一存储器;

第二存储器;

存储器控制电路,被配置用于:施加存储器地址至所述第一存储器和所述第二存储器,将纠错码(ECC)校验位写入所述第一存储器和所述第二存储器中的所述存储器地址,以及仅从在所述存储器地址处的所述第一存储器读取ECC校验位;以及

比较器电路,被配置用于:从所述第一存储器和所述第二存储器中的所述存储器地址获得ECC校验位,并且执行从所述第一存储器和所述第二存储器接收的所述ECC校验位的逐位比较,以产生如下信号,该信号指示如果所述ECC校验位的所述逐位比较失败则存在所述第一存储器和第二存储器中的一个或多个存储器的故障。

2.根据权利要求1所述的存储器系统,其特征在于,所述存储器控制电路包括ECC电路,所述ECC电路被配置用于处理从主机系统接收的应用数据并产生所述ECC校验位,以及所述ECC电路被进一步配置用于处理从所述第一存储器读取的所述应用数据和所述ECC校验位以检测并纠正在所读取的应用数据中的数据错误。

3.根据权利要求2所述的存储器系统,其特征在于,所述应用数据和所述ECC校验位在所述存储器地址处被存储在所述第一存储器中,以及其中所述应用数据并未被存储在所述第二存储器中,但是所述ECC校验位在所述存储器地址处被存储在所述第二存储器中。

4.根据权利要求2所述的存储器系统,其特征在于,所述ECC电路被进一步配置用于处理从主机系统和所述存储器地址接收的所述应用数据以产生所述ECC校验位。

5.根据权利要求1所述的存储器系统,其特征在于,所述第一存储器和所述第二存储器均包括SRAM阵列。

6.根据权利要求1所述的存储器系统,其特征在于,所述第一存储器的存储器阵列大于所述第二存储器的存储器阵列。

7.一种电子系统,其特征在于,包括:

主机系统,被配置用于做出写入请求以将应用数据写入存储器;以及

存储器系统,响应于所述写入请求通过以下项进行操作:

根据所述应用数据计算纠错码(ECC)校验位;

将所述应用数据和计算出的ECC校验位写入第一存储器;以及

将所述ECC校验位写入第二存储器,但是不将所述应用数据写入所述第二存储器。

8.根据权利要求7所述的电子系统,其特征在于,所述存储器系统进一步产生用于所述写入请求的存储器地址,以及其中将所述应用数据和计算出的ECC校验位写入所述第一存储器包括写入所述第一存储器中的所述存储器地址,以及其中将所述ECC校验位写入所述第二存储器但是不将所述应用数据写入所述第二存储器包括将所述ECC校验位写入所述第二存储器中的所述存储器地址。

9.根据权利要求8所述的电子系统,其特征在于,所述第一存储器和所述第二存储器中的每个存储器包括SRAM阵列。

10.根据权利要求8所述的电子系统,其特征在于,所述第一存储器的存储器阵列大于所述第二存储器的存储器阵列。

11.根据权利要求7所述的电子系统,其特征在于,所述主机系统被进一步配置为做出读取请求以从存储器读取所述应用数据,所述存储器系统进通过以下项响应于所述请求进一步进行操作:

从所述第一存储器读取所述应用数据和ECC校验位;

使用所读取的ECC校验位检测并纠正所读取的应用数据中的错误;

从所述第一存储器和所述第二存储器接收所述ECC校验位;以及

执行从所述第一存储器和所述第二存储器接收的ECC校验位的逐位比较,以产生如下信号,该信号指示如果所述ECC校验位的所述逐位比较失败则存在所述第一存储器和所述第二存储器中的一个或多个存储器的故障。

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