[实用新型]一种去气泡专用高压热风箱式炉有效
申请号: | 201721567215.7 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN207441671U | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 安小敏 | 申请(专利权)人: | 合肥真萍电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人: | 邢江峰 |
地址: | 230000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 罐体 输入端 专用高压 降温水 箱式炉 热风 套管 压力容器设计 本实用新型 开关报警器 温度传感器 压力控制器 报警保护 风机安装 晶体表面 内部固定 热风电机 压力腔体 有压力腔 承载架 蜂鸣器 晶体的 控制端 耐高温 内上壁 信号端 增压泵 风机 去除 封装 环绕 开门 | ||
本实用新型公开了一种去气泡专用高压热风箱式炉,包括罐体和PLC控制器,所述罐体的外表面环绕有降温水套管,且在降温水套管的输入端与冷水风机相连接,所述冷水风机安装在罐体的右端,所述罐体的内部固定安装有压力腔体,在压力腔体的右端还固定安装有承载架,所述罐体的内上壁固定安装有耐高温热风电机,所述开关报警器的输入端与PLC控制器相连接,所述PLC控制器的输入端还通过压力控制器与增压泵相连接,所述PLC控制器的信号端还连接有温度传感器,所述PLC控制器的控制端与蜂鸣器相连接,整个装置符合压力容器设计标准,并设计开门报警保护,使得整个装置的运行更加有效,能够有效去除晶体表面的气泡有利于封装,提高了晶体的质量。
技术领域
本实用新型涉及去箱式炉技术领域,具体为一种去气泡专用高压热风箱式炉。
背景技术
随着经济的发展以及科技的变革,高科技技术越来越受到人们的欢迎,伴随着3D半导体的出现,为半导体产业带来了巨大的变化,从最前端的晶片设计流程、晶片制作到最后段的封装测试,都必须克服全新的挑战,例如温度、压力、湿度、压力与封装的几何尺寸等因素,常使的封装体发生弯曲变形、脱屑与晶裂等现象,故需要更高的技术。
在半导体晶片的封装过程中,封装材料会吸收水汽或产生挥发物质,或者在制作过程中产生气泡,IC在回焊的过程中,受热后水汽与空气膨胀,导致晶体本身以及封装外壳受到极大的压力,而可能造成IC元件失效,但这些压力不一定会马上造成IC失效,但是会对IC的质量产生影响。
实用新型内容
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种去气泡专用高压热风箱式炉,包括罐体和PLC控制器,所述罐体的外表面环绕有降温水套管,且在降温水套管的输入端与冷水风机相连接,所述冷水风机安装在罐体的右端,所述罐体的内部固定安装有压力腔体,在压力腔体的右端还固定安装有承载架,所述罐体的内上壁固定安装有耐高温热风电机,且耐高温热风电机设置在承载架的上端,所述罐体下表面还固定安装有法兰式接口,所述罐体的右侧面上还固定安装有炉门,且在炉门的外表面还固定安装有开关报警器,所述开关报警器的输入端与PLC控制器相连接,所述PLC控制器的输入端还通过压力控制器与增压泵相连接,所述增压泵的输入端通过连接管道与罐体相连接,所述PLC控制器的信号端还连接有温度传感器,所述温度传感器的输出端与K型热偶分度表相连接,所述温度传感器的输入端还通过阈值设定模块与PLC控制器相连接,所述PLC控制器的控制端与蜂鸣器相连接。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述罐体的四周还固定安装有多个支撑架,且多个支撑架均对称分布在罐体的下表面上。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述罐体的下表面还固定安装有电气比例控制阀。
作为本实用新型一种优选的技术方案,所述罐体的内表面还固定安装有增压及放压管道。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该去气泡专用高压热风箱式炉,通过设置罐体,在罐体内部使用降温水套管为可以为整个装置降温,使用高性能、大流量的增压泵,配合电子式压力控制器,再搭配高精度的比例控制阀,可快速、精准达到所需压力,且使用耐高温热风电机在承载架上部为加工件进行烘烤,提供适当的压力以及温度,去除半导体材料表面的气泡,利用PLC控制器通过温度传感器检测压力腔体内部的温度,每个控制和检测点均采用K分度热偶独立测量,提高了测量精度,使用PLC控制器设定PID参数自整定、高温上限报警、热电偶失效指示等多项报警保护功能,当某个温区温度发生超温现象时,相应温区的温度超温报警系统立即发出声光报警信号并同时切断加热,蜂鸣器发出连续的报警声,提高了运行的效率,且使用嵌齿式快开结构的炉门输送晶体,符合压力容器设计标准,并设计开门报警保护,使得整个装置的运行更加有效,且整个装置结构简单,实用性强,能够有效去除晶体表面的气泡有利于封装,提高了晶体的质量。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为本实用新型压力腔体结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥真萍电子科技有限公司,未经合肥真萍电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721567215.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:超宽多排引线框架异形托框上料装置
- 下一篇:一种压块触发装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造