[实用新型]一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置

权利要求书

1.一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，包括：耐高温陶瓷结构、远程控制线缆（15）、电气温控结构和计算机（14），耐高温陶瓷结构用于放置样品（8），耐高温陶瓷结构通过远程控制线缆（15）连接电气温控结构，电气温控结构连接计算机（14）；所述耐高温陶瓷结构包括耐高温材质的外壳（1）和内壁（4），外壳（1）和内壁（4）之间形成有空腔，内壁（4）为空中的筒状；所述内壁（4）内设置有样品盒（7），样品盒（7）的两端通过绝热环（9）径向安装于内壁（4）的中间位置；所述外壳（1）也呈筒状，外壳（1）和内壁（4）之间的空腔内设置有若干同轴向环形均匀分布的耐高温的陶瓷管（2），陶瓷管（2）内均设置有贯穿陶瓷管（2）的电阻丝（3）；所述外壳（1）和内壁（4）之间的空腔内，陶瓷管（2）周围填充有隔热层（10）。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，所述外壳（1）和内壁（4）均采用耐高温的主要成分为三氧化二铝的陶瓷制作；所述隔热层（10）为陶瓷纤维。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，所述内壁（4）外侧沿轴向可按等间距排列设置多圈陶瓷管（2）。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，所述内壁（4）的两个端口分别为粒子入射窗口（5）和粒子出射窗口（6），内壁（4）的中空部分为粒子流通道，通入的粒子流穿过样品盒（7）中的样品（8）；所述粒子入射窗口（5）和粒子出射窗口（6）均采用二氧化硅或铝材料制作。

5.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，所述样品盒（7）采用铝材制作，样品盒（7）设计为圆柱体形状。

6.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，所述外壳（1）的上端设置有用于与远程控制线缆（15）连接的电缆接口（11）；所述电阻丝（3）穿过陶瓷管（2）连接于电缆接口（11）上，通过电缆接口（11）与远程控制线缆（15）连接。

7.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，所述电气温控结构包括电气控制柜（13）和温控仪（12），温控仪（12）安装于电气控制柜（13）上并通过线缆与电气控制柜（13）内的热电偶连接；所述热电偶为K型或S型热电偶。

8.根据权利要求7所述的一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，所述电阻丝（3）通过电缆接口（11）连接远程控制线缆（15），远程控制线缆（15）连接电气控制柜（13），通过与热电偶连接的温控仪（12）实时监测样品盒（7）内部温度。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，所述精密控温装置的控温范围为：室温~250摄氏度，控温精度优于1摄氏度。

10.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置，其特征在于，所述精密控温装置适用于长时间的伽马射线辐照环境中。