[实用新型]一种PVD反应室及PVD机台

说明书

本实用新型提供一种PVD反应室及PVD机台，所述PVD反应室包括：外壁壳体；设于所述外壁壳体内的保护罩，其中，所述保护罩底部设有一与所述外壁壳体贯通的通孔；一端贯通所述外壁壳体底部，另一端通过所述通孔延伸至所述保护罩内的基座；及贯穿所述外壁壳体底部并通过所述通孔延伸至所述保护罩内的进气管路。通过本实用新型提供的PVD反应室及PVD机台，解决了现有PVD工艺成本较高的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种PVD反应室及PVD机台。

背景技术

PVD(Physical Vapor Deposition：物理气相沉积)是指在真空条件下，采用中电压、大电流的电弧放电技术电离气体产生离子，利用电场的加速作用产生更多的离子，在电场和负电压的作用下使离子轰击靶材,将被轰击下的物质沉积在工件上。与CVD工艺相比，PVD工艺处理温度低，且对环境无不利影响，符合现代绿色制造的发展方向。

PVD工艺一般都是在PVD反应室中进行，而随着PVD工艺在半导体制造过程中的大量使用，如何降低PVD工艺的成本是本领域技术人员丞待解决的问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种PVD反应室及PVD机台，解决了现有PVD工艺成本较高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种PVD反应室，所述PVD反应室包括：

外壁壳体；

设于所述外壁壳体内的保护罩，其中，所述保护罩底部设有一与所述外壁壳体贯通的通孔；

一端贯通所述外壁壳体底部，另一端通过所述通孔延伸至所述保护罩内的基座；及

贯穿所述外壁壳体底部并通过所述通孔延伸至所述保护罩内的进气管路。

优选地，所述基座包括贯通所述外壁壳体底部的固定杆，及设于所述固定杆上的放置台。

优选地，所述进气管路设于所述基座一侧。

优选地，所述进气管路设于所述基座内，且所述基座上部设有与所述进气管路贯通的出气口。

优选地，所述进气管路的直径小于0.25英尺。

优选地，所述基座上设有加热装置。

优选地，所述PVD反应室还包括设于所述保护罩上方的靶材，及设于所述靶材上方的磁铁。

优选地，所述PVD反应室还包括设于所述外壁壳体上的低温抽气泵。

本实用新型还提供了一种PVD机台，所述PVD机台包括如上述任一项所述的PVD反应室。

如上所述，本实用新型的一种PVD反应室及PVD机台，具有以下有益效果：本实用新型通过将进气管路一端设置在所述反应室下方，另一端通过所述通孔延伸至所述保护罩内，使得气体均匀地散发至所述保护罩内的反应区域，而且还避免了气体过多地进入到所述外壁壳体内，被低温抽气泵抽走，造成气体浪费的情况，大大降低了PVD工艺的成本。

附图说明

图1显示为本实用新型实施例一所述PVD反应室的一种结构示意图。

图2显示为本实用新型实施例一所述PVD反应室的另一种结构示意图。

元件标号说明

10 PVD反应室

11 外壁壳体

12 保护罩