[实用新型]保护电路有效
| 申请号： | 201721557764.6 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN207410006U | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 胥能 | 申请（专利权）人： | 珠海市多泰吉智能技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/00 | 分类号： | H02H3/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 苏胜 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市高新区唐*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应管 微控制器 电源输入端口 降压模块 双向数据端口 二极管 电阻 电路 对外端口 一端连接 漏极 源极 阴极 本实用新型 输出端连接 阳极连接 输出端 输入端 | ||
1.一种保护电路，用于保护微控制器的双向数据端口，所述保护电路包括电源输入端口、双向对外端口、微控制器和降压模块，其特征在于，所述保护电路还包括：场效应管、第一二极管和第一电阻；
所述电源输入端口连接所述降压模块的输入端，所述降压模块的输出端连接所述微控制器的电源输入端口，所述微控制器的双向数据端口连接所述场效应管的源极，所述场效应管的漏极连接所述双向对外端口；
所述降压模块的输出端还连接所述场效应管的栅极；
所述第一电阻的一端连接所述场效应管的栅极，所述第一电阻的另一端连接所述场效应管的源极；
所述第一二极管的阳极连接所述电源输入端口，所述第一二极管的阴极连接所述场效应管的漏极。
2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括：第二电阻，所述第二电阻的一端连接所述第一二极管的阴极，所述第二电阻的另一端连接所述场效应管的漏极。
3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括：第二二极管，所述第二二极管的阳极连接所述电源输入端口，所述第二二极管的阴极连接所述降压模块的输入端。
4.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述第二二极管的型号为1N4148。
5.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电源输入端口提供的电压为12V、9V或5V。
6.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述场效应管为NMOS管。
7.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一二极管的型号为1N4148。
8.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述微控制器的电源输入端口所需的电压为3.3V。
9.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述降压模块选用降压型电源芯片。
10.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述场效应管的数目等于所述微控制器的双向数据端口的数目。
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