[实用新型]一种半导体加热装置有效
申请号: | 201721540750.3 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN207498466U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 王磊;喻泽锋;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C14/22 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 灯座 灯管 灯管孔 半导体加热装置 本实用新型 固定组件 灯管卡 投影 部下端面 尺寸缺陷 灯管安装 上端面 拆卸 减小 配合 | ||
本实用新型提供一种半导体加热装置,包括:固定组件及灯管;固定组件包括若干个灯座,灯座包括灯管孔;灯管包括与灯管孔相配合的连接部,当灯管安装于灯座时,连接部完全位于灯管孔中;连接部上端面在水平面上的投影面积小于连接部下端面在水平面上的投影面积;本实用新型减小了灯管与灯座的接触面积,因此在高温情况下,当灯管与灯座之间发生微小尺寸缺陷时,可避免灯管卡死在灯座中,从而解决由于灯管卡死在灯座中,导致灯管无法拆卸,从而必须要更换灯座,造成资源浪费的问题。
技术领域
本实用新型属于半导体设备领域,涉及一种半导体加热装置。
背景技术
气相沉积技术是在反应室中发生物理、化学反应的过程,在工件表面形成功能性或装饰性的金属、非金属或化合物涂层。气相沉积技术按照成膜机理,可分为化学气相沉积、物理气相沉积和等离子体气相沉积。其中,化学气相沉积及物理气相沉积是半导体领域较为常用的沉积镀膜方式。
气相沉积技术需要较高的反应温度,加热方式一般包括电阻加热法、高频感应加热法、电子束加热法、激光加热法、以及蒸镀法。
现有气相沉积设备中,常常采用灯管作为加热源。由于气相沉积技术需要较高的温度(500~1500℃),因此,在高温情况下,用于加热的灯管与灯座之间常常会引起微小尺寸缺陷。而现有气相沉积设备中,为了节省空间,增加灯管数量,提升加热温度,用于加热的灯管与灯座之间的空隙较小,导致灯管与灯座在发生微小尺寸缺陷时,常常使灯管卡死在灯座中,无法拆卸,从而必须更换灯座,造成资源浪费。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种半导体加热装置,用于解决现有技术中由于工作在高温情况下,用于加热的灯管与灯座之间在发生微小尺寸缺陷时,常常使灯管卡死在灯座中,无法拆卸,从而必须更换灯座,造成资源浪费的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种半导体加热装置,包括:
固定组件,所述固定组件包括若干个灯座,所述灯座包括灯管孔;
灯管,所述灯管包括与所述灯管孔相配合的连接部,当所述灯管安装于所述灯座时,所述连接部完全位于所述灯管孔中;所述连接部上端面在水平面上的投影面积小于所述连接部下端面在水平面上的投影面积。
优选地,所述固定组件的横截面外缘轮廓由曲线、直线中的一种或组合连接而成。
优选地,所述灯管孔的横截面外缘轮廓由曲线、直线中的一种或组合连接而成。
优选地,多个所述灯座之间分立设置,并固定于所述固定组件内。
优选地,多个所述灯座之间并联连接。
优选地,多个所述灯座相对于所述固定组件均匀分布。
优选地,所述连接部自所述下端面往所述上端面方向横截面面积逐渐减小。
优选地,所述灯管至少有一部分裸露于所述灯管孔。
优选地,所述连接部与所述灯座之间的连接方式包括插入式或旋转式中的一种。
优选地,所述加热装置还包括调控装置,所述调控装置用于调控所述灯座的开关状态。
如上所述,本实用新型的半导体加热装置,具有以下有益效果:用于加热的灯管连接部上端面在水平面上的投影面积小于下端面在水平面上的投影面积,因此,减小了灯管与灯座的接触面积,在高温情况下,当灯管与灯座之间发生微小尺寸缺陷时,可避免灯管卡死在灯座中,从而,解决由于灯管卡死在灯座中,导致灯管无法拆卸,从而必须要更换灯座,造成资源浪费的问题。
附图说明
图1显示为实施例一中的半导体加热装置的仰视结构示意图。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的