[实用新型]一种光伏组件的安装结构有效
| 申请号: | 201721531849.7 | 申请日: | 2017-11-16 | 
| 公开(公告)号: | CN207731936U | 公开(公告)日: | 2018-08-14 | 
| 发明(设计)人: | 常纪鹏;张志;卢刚;何凤琴;钱俊 | 申请(专利权)人: | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 | 
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0475 | 
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 | 
| 地址: | 810007 青海省西*** | 国省代码: | 青海;63 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 子串 装配区 安装支架 电池组件串 第二组件 第一组件 安装结构 电池组件 光伏组件 负极端 底端 本实用新型 两排排列 依次串联 电连接 正极端 电势 衰减 诱导 概率 | ||
本实用新型公开了一种光伏组件的安装结构,包括:n个电池组件串,每个电池组件串包括m个依次串联的电池组件,每个电池组件串包括相互电连接且呈两排排列的第一组件子串和第二组件子串,第一组件子串和第二组件子串均包括m/2个电池组件,第一组件子串的末端设有正极端,第二组件子串的末端设有负极端;安装支架,安装支架上设有第一装配区和第二装配区,第一装配区靠近安装支架的底端,第二装配区远离安装支架的底端;第一组件子串设置于第一装配区上,第二组件子串设于第二装配区上;其中,n为大于或等于2的整数,m为大于或等于2的偶数。各个电池组件串的负极端整体位于远离安装支架底端的区域,降低了电势诱导衰减发生的概率。
技术领域
本实用新型涉及光伏组件领域,更具体地说,涉及一种光伏组件的安装结构。
背景技术
目前电势诱导衰减现象严重影响着晶体硅太阳电池组件的可靠性及稳定性,可造成组件功率损失达50%以上。现有理论认为当光伏组件串联后,由于组件串的正极和负极均未接地,此时组件串会形成“悬浮电势”。即组件串的零电势点会出现在组件串中间。出于安全考虑,组件在安装时都会通过金属边框进行接地。因此对于组件串的前半部分而言,电势为零的金属边框对组件串内部回路处于负的偏压,而对于组件串的后半部分则恰恰相反。所以对于组件串的后半部分组件来说,组件的金属边框产生了指向组件内部电池片的电场,组件越靠近负极端,偏压越大,电场越大。电势诱导衰减的主要原因是光伏组件中钠钙玻璃上的钠离子在高压所形成的电场下向晶体硅太阳电池片表面和内部的迁移,最终与PN结内部的层错缺陷反应,形成了深能级的复合中心,进一步导致了光生载流子的复合,引起太阳电池的各项电参数的急剧衰减。
目前光伏电站中组件的安装基本是“长横排装配位”安装,即一个组件串的所有串联的组件处于光伏组件支架上的同一水平位置上(同一排装配位)。这时安装在光伏支架下端越靠近地面的组件其受到的相对湿度越大,同时沾污灰尘也大。而当组件表面湿润有湿气时,组件表面的电导率增强,此时由组件表面指向组件内部电池片的电场随之增大。尤其当组件表面有灰尘时,灰尘中含有大量的导电离子,当和水汽混合后组件表面的电导率急剧增大,电场也随之增大。电场强度变大时金属离子的迁移速率也会变大。金属离子的迁移率越大,金属离子越容易穿过组件玻璃,迁移到电池片表面,进入电池片内部引起太阳电池的各项电性能参数的急剧衰减。因此在目前光伏组件安装方式下,光伏组件发生电势诱导衰减的概率较大。目前人们解决这种现象的做法是在组件的接线方法和逆变器结构原理上进行创新,但是收效甚微。目前还没有从光伏组件的安装方式上进行解决预防电势诱导衰减的方法。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种可降低电势诱导衰减发生概率的光伏组件电池排列结构。
为了实现上述的目的,本实用新型采用了如下的技术方案:
一种光伏组件的安装结构,包括:
n个电池组件串,每个所述电池组件串包括m个依次串联的电池组件,每个所述电池组件串包括相互电连接且呈两排排列的第一组件子串和第二组件子串,所述第一组件子串和所述第二组件子串均包括m/2个所述电池组件,所述第一组件子串的末端设有正极端,所述第二组件子串的末端设有负极端;
安装支架,所述安装支架上设有第一装配区和第二装配区,所述第一装配区靠近所述安装支架的底端,所述第二装配区远离所述安装支架的底端;
所述第一组件子串设置于所述第一装配区上,所述第二组件子串设于所述第二装配区上;
其中,所述n为大于或等于2的整数,所述m为大于或等于2的偶数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





